国际一流研发团队

化合积电拥有国际一流团队,10余年技术积累,领衔建设高水平研究平台

化合积电在厦门、首尔等地建立三大研发中心,拥有近1000平方米研发基地
全球三大研发中心
化合积电荣获“厦门市超宽禁带半导体材料与器件重点实验室”称号
化合积电已有3000平方米生产基地,智能制造,确保品质卓越
重点实验室
3000平生产基地
产品中心

金刚石导热率比铜高五倍,是制作散热片的极佳材料,其性能远优于传统材料。

通过MPCVD的方法生长任意厚度的2英寸金刚石片,抛光后的2英寸金刚石表面粗糙度(Ra)可达到1纳米以下。

提供2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜
提供1CM*1CM金刚石基氮化铝薄膜
光伏

Photovoltaic
5G

Fifth-generation

新能源


汽车

New energy vehicle


快充

SuperCharge
应用领域
行业动态
然而,尽管使用了SiC衬底,可在基于GaN的电子器件中,充分的散热仍然是决定最大功率耗散的限制因素之一。采用化合积电CVD金刚石(最高达到1800W/mK)作为散热片是一种好得多的散热解决方案,与目前顶尖的GaN器件相比,其功率密度有可能提高3倍或更多。
2021-06-18
电子设备的性能越高,热管理就越艰难,由于伴随着半导体材料电子器件功率持续提升 ,热通量会越来越大,有一些乃至达到数十KW/立方厘米,是太阳表面的 5 倍。那样大的发热量假如不可以立即从电子器件中导出来散发,会严重危害到电子设备的可靠性,有研究表明电子元器件中半数以上常见故障均为发热量有关难题而致。例如大家最普遍的智能机,尽管已很多选用高纯石墨传热片和航空公司合金制品,但或是三天两头就见到某某...
2021-06-17
小型化,轻薄化的设计是当前电子产品的主流,这对产品的热设计有较高的要求。有研究显示电子元器件温度每升高2℃,其可靠性会下降10% 在50℃温度下,寿命会缩减到室温时的六分之一。可见,温度一直是制约新技术发展的重要原因之一。除此之外,军事武器和航天飞船等高精尖领域也对热管理提出了更为严格的要求和目标。金属是目前应用广泛的导热材料之一,其优点在于强度高、耐磨性好、易加工和实现规模生产等。目前主要...
2021-06-17
CVD金刚石膜是指利用低压化学气相沉积技术人工制备的一种膜状金刚石,以区别于利用高压高温(HPHT)技术人工制备的粉末态金刚石。低压化学气相沉积(CVD)金刚石膜技术是70年代中后期发展起来的一种新兴技术性,是继50年代中后期利用髙压高溫法在触煤的催化反应下将高纯石墨转换为金刚石至今,人造金刚石行业的又一次重大进展。它预兆着人们将能充足利用金刚石的各种各样出色化学性质。大家都知道,金刚石具备...
2021-06-16
根据 Yole 统计数据,2018 年 GaN 整体市场规模为 6.45 亿美元,其中无线通讯应用规模为 3.04 亿美元,军事应用规模为 2.7 亿美元,未来在电信基础设施以及国防两大应用的推动下,预计到 2024 年,GaN 市场规模将增长至 20.01 亿美元,年复合增长率为 21%,其中无线通讯应用规模将达到 7.52 亿美元,同比增长 147.43%,射频相关应用规模从 200 万...
2021-06-15
固态物质分为晶体和非晶体。晶体分为单晶体,多晶体。晶体有三个特征:1、晶体有一定的几何外形,2、晶体有固定的熔点,3、晶体有各向异性的特点。单晶体是原子排列规律相同,晶格位相一致的晶体。整块晶体由一颗晶粒组成,或是能用一个空间点阵图形贯穿整个晶体。多晶体是由很多排列方式相同但位向不一致的小晶粒组成。整块晶体由大量晶粒组成,或是不能用一个空间点阵图形贯穿整个晶体。作为半导体材料,金刚石也有单晶...
2021-06-11
金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料,它是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)等之后的重要半导体材料之一,可用于重要的半导体器件,在生物检测和医疗、平板显示、环保工程、功能器件等多个高新技术领域都有巨大的应用潜力。金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料,其带隙在室温下为5.47 eV,是硅的五倍;热导率2200W/m.K ,在已知半导体材料中具备最高热导率;...
2021-06-10
目前,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第3代半导体材料迅猛发展,是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高铁、能源互联网等重点领域发展的核心材料。而以氮化铝(AlN)、金刚石、氧化镓(Ga2O3)等为代表的超宽禁带半导体材料正凭借着更优异的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势引起了学术界的广泛关注,将逐渐发展成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。禁带宽...
2021-06-09
在大功率电路系统(如电动机控制、开关电源、高压直流输电)中,常常会用到续流二极管(freewheeling diode),它通常与金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等有源功率器件反向并联,作用是在电路关断时为感性负载提供电流通路,避免高的反向感应电动势损坏有源功率器件。具有很好反向恢复特性的肖特基二极管(schottky barrier diod...
2021-06-08
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