国际一流研发团队

化合积电拥有国际一流团队,10余年技术积累,领衔建设高水平研究平台

化合积电在厦门、首尔等地建立三大研发中心,拥有近1000平方米研发基地
全球三大研发中心
化合积电荣获“厦门市超宽禁带半导体材料与器件重点实验室”称号
化合积电已有3000平方米生产基地,智能制造,确保品质卓越
重点实验室
3000平生产基地
产品中心

金刚石导热率比铜高五倍,是制作散热片的极佳材料,其性能远优于传统材料。

通过MPCVD的方法生长任意厚度的2英寸金刚石片,抛光后的2英寸金刚石表面粗糙度(Ra)可达到1纳米以下。

提供2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜
提供1CM*1CM金刚石基氮化铝薄膜
光伏

Photovoltaic
5G

Fifth-generation

新能源


汽车

New energy vehicle


快充

SuperCharge
应用领域
行业动态
由于金刚石的优异性质,加上CVD法大大降低了金刚石的生产成本而CVD金刚石薄膜的品质逐渐赶上甚至在一些方面超过天然金刚石而使得金刚石薄膜广泛地用于工业的许多领域:工具领域随着汽车、航空和航天工业的发展以及对材质轻量化、高比强度的要求日益提高,有色金属、碳纤维增强塑料(CFRP)、玻璃纤维增强塑料(GFRP)、纤维增强金属(FRM)以及石墨、陶瓷等新材料在工业中的应用日益广泛,因而对加工这些材...
2021-09-18
氮化铝(AlN)是一种宽禁带半导体材料,具有高达6.2 eV的直接带隙,并且具有宽带隙、高熔点、高临界击穿场强、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异性质、热导率高、表面声速大、机械硬度大等优良性质。因此,氮化铝薄膜在制作高功率、高频率电子器件、固态激光探测器和短波长发光二极管方面具有广泛的应用前景。同时氮化铝晶体也是外延生长Ⅲ族氮化物的理想衬底材料,能够弥补Si、蓝宝石、SiC等衬底材料所存在的晶...
2021-09-17
GaN 作为第三代半导体材料,具有宽禁带(室温下 3.39 eV)、高电子饱和速率( 2.5×107cm/s)、高击穿场强( 3.3 MV/cm)等优异性能,非常适用于研制高频、大功率微波毫米波器件及电路,在 5G 通讯、航天、国防等领域具有极高的应用价值,在国际上引起了广泛关注。近年来,基于 GaN 微波功率器件的设计和工艺不断提高和改进,其理论输出功率越来越高(4GHz,~40 W/mm...
2021-09-17
国内半导体功率器件采用铜作热沉,在同时要求绝缘的场合采用氧化铍陶瓷。但氧化铍在制备过程中有剧毒物质产生,在发达国家已禁止使用。金刚石在室温下具有最高的热导率,是铜、银的5倍,又是良好的绝缘体,因而是大功率激光器件、微波器件、高集成电子器件的理想散热材料采用金刚石热沉(散热片)的大功率半导体激光器已经用于光通信,在激光二极管、功率晶体管、电子封装材料等方面都有应用;金刚石热沉商品国内市场已出现...
2021-09-16
盼望着,盼望着……化合积电中秋线上博饼会开始啦!9月16日8:00-9月18日18:00动动手指,即刻参与博饼!博出好运来,轻松拿大奖!参与博饼的路径微信扫码关注“化合积电”公众号,一键开启“中秋博饼”通道。礼品超丰厚,轻松拿大奖一年仅此一次,福利大放送!UP ! UP ! UP !好运来敲门!豪礼送进门!幸运锦鲤就是你!价值数万元2英寸金刚石热沉片超高热导率,TC:1000-2000W/m...
2021-09-16
近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业。GaN具有禁带宽度大(室温下为3.39eV)、击穿电场强度高(3.3MV/cm)、饱和电子速度大(2.5×107cm/s)、热导率高(1.5W·cm-1·K-1)、抗辐射能力强以及易于形成异质结构等优异性能等特点,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,在 5G 通讯、航天、国防等领域具有极高的应用价值。GaN的优势及器件应用...
2021-09-14
大多数AlN UV - LED异质结构生长在c平面蓝宝石衬底上,如图所示。一般采用MOCVD生长技术,典型生长温度为1000~1200 ℃,有时可达1500 ℃,广泛应用于照明、医疗、水资源净化等领域,具有巨大的经济价值,但存在外部量子效率低(小于10%)等缺陷。图 使用氮化铝薄膜的深紫外LED的典型外延结构图2017年,日本信息通信研究机构的S. I. Inoue等人报道了深紫外AlGaN...
2021-09-13
光电子器件领域是AlN发展最为成熟的领域之一,氮化铝薄膜衬底较低的位错密度(典型值为10 5 cm -2 )已被证实优于Si、SiC和蓝宝石衬底器件,可极大地提高深紫外发光二极管、激光器和探测器的发光效率。目前已有采用AlN衬底的深紫外LED产品的销售,而AlN激光二极管(LD)和雪崩光电二极管(APD)探测器尚未进入实用化。通过使用AlN晶体衬底可使发光波长从UVA(400~320 nm)...
2021-09-10
金刚石中的缺陷可以用作新量子材料的传感器。对于珠宝销售商来说,具有缺陷的钻石(金刚石)往往代表着贬值。但是对于物理学家来说,金刚石中的缺陷却为物理学的发展提供了一个新的机会,可以推动未来量子设备的发展,并且有机会成为未来量子计算机的支柱。加州大学圣地亚哥分校物理系(UC San Diego Department of Physics)助理教授杜春晖(Chunhui Rita Du)是一位凝聚...
2021-09-09
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