金刚石基氮化镓(GaN on Diamond)技术的未来展望

发表时间:2021-11-24 10:49作者:化合积电网址:http://www.csmc-semi.com

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业。这种村料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,是近20余年以来研制微波功率器件最理想的半导体材料。随着外延材料晶体质量的不断提高和器件工艺的不断改进,基于GaN基材料研制的微波、毫米波器件和电路,工作频率越来越高,输出功率越来越大。


随着基于氮化镓(GaN)材料的微波功率器件向更小尺寸、更大输出功率和更高频率的方向发展,“热”的问题越来越突出,逐渐成为制约这种器件向更高性能提升的最重要问题之一。采用高热导率金刚石作为高频、大功率氮化镓(GaN)基器件的衬底或热沉,可以降低氮化镓(GaN)基大功率器件的自加热效应,并有望解决随总功率增加、频率提高出现的功率密度迅速下降的问题,因此,成为近几年的一个国际研究热点。


硅、碳化硅(SiC)、金刚石基GaN对比


金刚石基氮化镓(GaN)技术


金刚石在目前所知的天然物质中具有最高的热导率,室温下的导热系数高达2000W/m-1K-1,是碳化硅导热系数的四到五倍。作为衬底材料,金刚石可以以数百纳米的尺寸沉积在GaN信道内,使晶体管设备在工作时能够有效散热。在高频、大功率GaN 基高电子迁移率晶体管(HEMT)和电路的散热方面极有应用潜力。


Felix Ejeckam于2003年发明了金刚石上的GaN,以有效地从GaN晶体管中最热的位置提取热量。其基本理念是利用较冷的GaN放大器使系统更节能,减少浪费。金刚石上的GaN晶片是通过GaN通道或外延将其从原始的Si衬底中剥离下来,而后通过一个35nm的SiN界面层结合在CVD合成金刚石衬底上。这种200°C的GaN通道与CVD形成纳米级的金刚石是接近最导热工业材料,它会大大降低放大器的基板和通道之间的温度上升。图1显示了金刚石晶圆片上GaN的制作过程。多年来,许多课题组已经量化了上述的热改善。先将Si基GaN HEMT晶圆片黏贴到一个临时Si载片上,待原始的硅基板被蚀刻掉,然后利用CVD方法在GaN层下方的35 nm的界面层上沉积金刚石。最后,临时的Si载体被蚀刻,最终的金刚石上的GaN晶圆被加工为HEMTs或MMICs。


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图1 金刚石晶圆片上GaN的制作过程


技术系统影响


与SiC基GaN相比,如果GaN MMIC产生的热量可以降低40%到50%,那么就可以将更大的功率密度压缩到更小的体积空间中。功率是下行数据速率计算的直接参数,功率越高,传送的信息越多。在非常紧凑的空间中,使用金刚石上GaN可以降低对于冷却系统的要求。因为与使用标准的SiC基GaN功率放大器相比,金刚石上GaN的使用可以允许环境温度升高得更高,同时不会降低性能与可靠性。冷却装置的减少也意味着重量和尺寸的减少。


金刚石基氮化镓发明人成立Akash系统公司


2003年,还在Group4 Lab供职的Ejeckam,通过将在硅上生长的GaN外延层转移至合成化学汽相淀积的金刚石衬底上,发明了金刚石基氮化镓(GaN on Diamond)。Group4Lab的资产在2013年被戴比尔斯集团成员企业之一的ElemenSix技术公司收购。Felix Ejeckam和TyMitchell于2016年联合成立了位于美国加州旧金山的Akash系统公司,并与韩国RFHIC公司达成一致,共同协商买回了金刚石基氮化镓专利。


金刚石基GaN应用: 卫星通信功率放大器


目前而言最先进的商业卫星以100-200Mbps的速度传输于地球,而对于一些先进的大型单一卫星概念目标为1至4Gbps。这些速率数据很大程度受限于制作信号传输器的射频功率放大器。Akash首次建造了一个小型卫星系统(12U),它将初步实现14Gbps的下行数据速率。接下来的demo数据速率将超过100Gbps,而最终目标定为一个普通的卫星的下行速率达到1Tbps。为达到最终目标,他们将使用金刚石上的GaN射频功率放大器。


Akash的设计师最近展示了高性能的金刚石基GaN晶体管(简化的功率放大器)。在k波段20GHZ频率下表现出60%的功率附加效率(PAE) (参见图2)。最近由美国国防部高级研究计划局资助,来自佐治亚理工学院、斯坦福大学、加州大学洛杉矶分校和第六元素的一组研究员共同研究GaN器件的温升发现:从GaN通道到衬底底部的温度是变化的,与相同的SiC基GaN器件相比温度降低80℃。这项研究所用的晶圆等同于Akash Systems用的金刚石上GaN。


图2:使用增益为7.9 dB 的2.9 W (5.6 W/mm)HEMT的示例设备得到的PAE为61%,偏置点为24 V

图3显示了不同类型的金刚石上GaN晶圆的10 finger HEMT从中心到边缘的通道的温度分布。


Akash Systems采用“有低热边界阻抗(TBR)的梯度金刚石”制作金刚石上GaN (绿色);这条曲线呈现152°C峰值温度(第一个峰值)。SiC基GaN在器件上同一点的温度是232℃。


Akash Systems计划在2019年发射一个24公斤12U(36cm x24cm x23cm )的卫星系统进入LEO轨道,它将包含一个以金刚石基GaN功率放大器为基础的20瓦的信号传送器。该系统将展现一个具有里程碑意义的14gbps数据速率,对于这样尺寸的卫星系统是独一无二的。


金刚石基GaN的未来展望


将金刚石引入高频、大功率GaN基微波功率器件和电路,解决器件的散热问题,是近几年的国际研究热点。基于多晶金刚石的衬底转移技术、基于单晶金刚石的材料直接外延技术和基于纳米金刚石薄膜的器件表面覆膜技术,在解决高频、大功率GaN基HEMT的散热方面都具有非常重要的应用潜力。


下一代金刚石基GaN(GaN on Diamond)技术将支撑未来高功率射频和微波通信、宇航和军事系统,为5G和6G移动通信网络和更复杂的雷达系统铺平道路。

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