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CVD金刚石热沉片是什么_介绍_相关报价信息

以GaN为代表的新一代半导体材料具有宽带隙、高击穿场强、高电子饱和速度、耐高压高温等独特优势, 综合特性远高于 GaAs 和 Si 等半导体材料,极为适用于固态大功率器件及高频微波器件,在雷达、电子对抗和移动通信等军民领域引起了高度关注,是近20余年以来研制微波功率器件最理想的半导体材料。尤其是 AlGaN /GaN 高电子迁移率晶体管( HEMT) 成为近十年来的研究热点。最新研究报道,G...

自20世纪90年代起,CVD多晶金刚石膜的制备与应用研究逐渐受到广大科研工作者的关注,开发了多种CVD制备多晶金刚石的方法,包括高功率直流电弧等离子体喷射(DC ArcPlasmaJet)CVD、热丝CVD(HFCVD)及MPCVD等。光学级、电子级多晶金刚石膜的制备要求沉积速率理想和缺陷密度极低或可控,无电极污染放电的MPCVD必然成了电子级、光学级金刚石膜制备的理想方法。目前,元素六公司...

金刚石热沉为实现电子封装材料的规模产业化,满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的“轻薄微小”的发展需求。尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、军用射频系统芯片等封装方面作用极为凸现,成为航天电子产品封装材料应用开发的重要趋势,同时是为航天电子产品轻量化的重要发展之一。采用金刚石热沉片(散热片)的大功率半导体激光器已经用于光通信。有人把天然Ⅱa型...

传统的金刚石(天然和人造)多数以块体形态呈现,这也就限制了其应用。金刚石薄膜物理化学性优异,且成本较天然金刚石低,能够制备各种几何形状,理论上对尺寸是没有限制的,在电子、光学、机械等工业领域有广泛的应用前景!金刚石薄膜几乎都是采用CVD方法生成,CVD金刚石主要具备如下典型特点:大面积:CVD技术能够提供天然矿产无法达到的大面积、高质量金刚石;大体积:与高温高压法生产的金刚石相比,CVD金刚...

金刚石作为材料之王,其优异性质不断被发掘,从传统的超硬性质到超宽禁带半导体,工业跨度范围极大。作为工业和科学技术领域重要功能材料:由于金刚石具有透光导热、电绝缘、高热导率等优异性能,在半导体、量子信息、光学器件、导热散热、生物医疗、消毒杀菌、发电储能、环保工程、功能器件、航空航天等多个高新技术领域都有巨大的应用潜力。全球布局与我国金刚石产业从全球范围看,人造金刚石生产主要集中在中国,国外人造...

近年来,随着氮化镓(GaN)基微波功率器件输出功率的提高及器件尺寸的缩小,散热问题已成为制约其可靠性和稳定性的重要因素之一。在目前所知的天然物质中,金刚石具有最高的热导率,是制备GaN基电子器件不可或缺的散热材料,在高频高功率AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的散热方面极有应用潜力。实现GaN on diamond结构主要有以下3种途径:1,键合法;2,在GaN外延层或HEMT器件上外延生...

许多军事射频系统,如雷达和通信系统,都采用单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。氮化镓MMIC放大器能大幅增强射频性能,然而,工作特性却受到热阻的较大影响。绝大部分的热阻产生于电路衬底与氮化镓晶体管之间的热结合处。如果衬底和连接位置的热特性很差,温度就会上升,导致放大器性能变差。日前,美国国防先期研究计划局(DARPA)的“近结热传输”(NJTT)项目演示了首个基于金刚石的氮化镓高电子迁移...

日前,美国陆军与美国莱斯大学签署了一项为期5年、耗资3000万美元,开展网络和先进材料研究的合作协议,共同研究下一代无线网络和射频电子产品,为美军提供更先进的情报、监视和侦察能力。其中就包括将金刚石材料作为改进射频电子技术中GaN的超宽带带隙替代品。金刚石具有高电子迁移率、高热导率、和低介电常数等优异的电学性质。在半导体领域中,金刚石通过掺杂,可呈现N型导电和P型导电,性能远超GaAs,Ga...

GaN 在射频、快充等领域应用广泛,但其性能和可靠性与通道上的温度和焦耳热效应有关,GaN基功率器件常用衬底材料(蓝宝石、硅、碳化硅)热导率都较低,极大限制了器件散热和大功率性能需求。仅依靠传统的衬底材料(硅、碳化硅),通过被动冷却技术,难以满足高功率条件下的散热需求,严重限制GaN基功率器件潜力释放,研究表明,金刚石可显著改善GaN基功率器件中存在的热效应问题。集成到 GaN 中的 SiC...

大阪市立大学、东北大学和Adamant并木精密宝石公司(东京都足立区)等组成的研究团队开发出了将作为新一代功率半导体备受期待的氮化镓(GaN)晶体管的散热性能提高至原来4倍的方法。该方法将氮化镓与可以快速散热的金刚石直接键合,大幅实现了节能,还方便用于会产生大量热量的大功率用途。今后将推进成本削减,计划2026年以后实现实用化。氮化镓键合金刚石(上部透明层)(图片由大阪市立大学提供)氮化镓是...

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