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CVD金刚石热沉片是什么_介绍_相关报价信息

化合积电(厦门)半导体科技有限公司成立于2020年,是一家专注于第三代(宽禁带)半导体衬底材料和器件研发、生产和销售的高科技企业,致力于成为全球领先的宽禁带半导体材料和器件公司,核心产品是晶圆级金刚石热沉片、金刚石基氮化镓外延片、氮化铝薄膜和压电材料等。公司具备MPCVD设备设计能力,国内率先掌握MPCVD制备高质量金刚石的核心工艺并实现量产, 并且独创金刚石原子级表面高效精密加工方法,引领...

采用金刚石热沉(散热片)的大功率半导体激光器已经用于光通信。有人把天然Ⅱa型金刚石单晶热沉用于解决微波和激光二极管器件的散热问题,所用金刚石单晶热沉片的尺寸在1mm2左右,只能用于单个激光二极管器件。大面积高热导CVD金刚石膜的出现使其在高功率激光二极管阵列(LDA)和其它微电子和光电子器件的热管理应用成为可能。典型的激光二极管阵列是由200m宽600m长,间隔200m的交叉点,在10mm幅...

(超)宽禁带半导体是指禁带宽度在3eV以上的半导体,主要包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN/AlGaN)、氧化镓(beta-Ga2O3)、金刚石(diamond)。其中以GaN 和SiC为代表的第三代半导体,因其高击穿电压和低导通电阻,被广泛应用于功率器件和射频器件,从商用的能源基础设施、自动驾驶、通讯基站,到国防的雷达和电子战设备、卫星通信。从能源消耗角度看,全球电力消...

如今,如何更有效地散热限制了大多数高功率模拟设备的性能。在目前所知物质中,金刚石具有最高的热导率,许多高性能应用试图将金刚石材料结合到IC基板或封装中以改善散热性能。在本文中,我们总结了许多利用金刚石材料的开发项目和现有产品,涵盖了三个主题:金刚石基GaN、金刚石无源器件和金刚石封装。金刚石基GaNTriQuint(现为Qorvo)于2013年4月宣布与布里斯托尔大学、Group 4实验室和...

美国马萨诸塞州的Raytheon公司近日成功研制出新一代氮化镓(GaN)射频技术应用。由美国国防部高级研究计划局(DARPA)主持领导的Raytheon团队成功地用人造金刚石做衬底材料,替代了氮化镓现有的衬底材料碳化硅,将热导系数提升了3-5倍,从而研制出金刚石衬底GaN设备。研究人员发现,金刚石衬底材料的GaN要比碳化硅衬底GaN高出3倍的晶体管功率密度。据科学家推测,这一新型衬底材料或将...

在通信卫星行业中,无线电通信、电子战、雷达和其他领域对半导体材料的带宽和性能都提出了更高层次的要求。GaN & diamond结合,充分利用金刚石的超高热导率(1000-2000W/m.K),可以比使用硅、碳化硅、蓝宝石等其他材料更有效且高效地散热。此外,金刚石高击穿场、高饱和速度、出色的热性能等特性,有助于长距离或高功率水平的信号传输,这一特性促使GaN & diamond在射频应用中脱颖...

由于面向该技术的供应链不断强化,因此利用金刚石薄膜将热量从 GaN 晶体管中吸出的做法将变得越来越普遍。 金刚石拥有许多优良的特性。它以辉煌耀眼的光泽闻名于世,这使其成为制造珠宝的非常不错的选择;它具有很高的硬度,因而可在用于切割、钻孔和锯切的工具中使用,也可在唱机悬臂的顶端上使用(以跟踪黑胶唱片中的调制)。 虽然知道的人较少、但是同样很优异的特点是金刚石的导热性。由于具有强共价键和低声子...

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业。这种材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,是近20余年以来研制微波功率器件最理想的半导体材料。随着外延材料晶体质量的不断提高和器件工艺的不断改进,基于GaN基材料研制的微波、毫米波器件和电路,工作频率越来越高,输出功率越来越大...

与氮化镓(GaN)相比,超宽禁带半导体-金刚石具有更高的禁带宽度、更高的热导率和相当的载流子迁移率,在大功率微波毫米波功率器件领域有着重要的应用潜力。随着基于GaN微波功率器件向更小尺寸、更大输出功率和更高频率的方向发展,“热”的问题越来越突出,逐渐成为制约器件向更高性能提升的重要问题之一。采用高热导率金刚石作为高频、大功率GaN器件的衬底,可以降低GaN大功密器件的自热效应对功率和效率等指...

随着GaN基电子功率转化器的功率密度增加和尺寸减小,器件的散热成为实际应用的关键问题。金刚石在所有天然材料中具有最高的热导率,可用于与 GaN 集成以消散 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 通道产生的热量。目前的金刚石基 GaN 晶片(GaN-on-diamond)制备技术包括三种策略:GaN与金刚石结合、金刚石在GaN上的外延生长和GaN在金刚石上的外延生长。由于大的晶...

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