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硅基氮化铝是什么_介绍_相关报价信息

现代电子应用领域中一种非常热门的原材料——氮化铝(AlN)。其商业应用的潜力源自于其拥有良好的抗氧化性、抗化学侵蚀性、抗热震性、机械强度、低介电常数、与硅晶相近之热膨胀系数以及高热传导系数等,因此在高功率的电子、光电、机械等应用领域备受瞩目。假若你不能很好地GET到氮化铝潜力之大,那不妨看看下方它各方面性能的具体参数:01热学性能    AlN的理论热导率为320W/m·K,实际制备的多晶A...

氮化铝(AlN)是一种宽禁带半导体材料,具有高达6.2 eV的直接带隙,并且具有宽带隙、高熔点、高临界击穿场强、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异性质、热导率高、表面声速大、机械硬度大等优良性质。因此,氮化铝薄膜在制作高功率、高频率电子器件、固态激光探测器和短波长发光二极管方面具有广泛的应用前景。同时氮化铝晶体也是外延生长Ⅲ族氮化物的理想衬底材料,能够弥补Si、蓝宝石、SiC等衬底材料所存在的晶...

大多数AlN UV - LED异质结构生长在c平面蓝宝石衬底上,如图所示。一般采用MOCVD生长技术,典型生长温度为1000~1200 ℃,有时可达1500 ℃,广泛应用于照明、医疗、水资源净化等领域,具有巨大的经济价值,但存在外部量子效率低(小于10%)等缺陷。图 使用氮化铝薄膜的深紫外LED的典型外延结构图2017年,日本信息通信研究机构的S. I. Inoue等人报道了深紫外AlGaN...

光电子器件领域是AlN发展最为成熟的领域之一,氮化铝薄膜衬底较低的位错密度(典型值为10 5 cm -2 )已被证实优于Si、SiC和蓝宝石衬底器件,可极大地提高深紫外发光二极管、激光器和探测器的发光效率。目前已有采用AlN衬底的深紫外LED产品的销售,而AlN激光二极管(LD)和雪崩光电二极管(APD)探测器尚未进入实用化。通过使用AlN晶体衬底可使发光波长从UVA(400~320 nm)...

上科大信息学院吴涛课题组致力于利用先进传感材料与微纳工艺研发微纳机电器件与系统(MEMS),主要包括多铁态材料的耦合机理与传感应用,压电声学微纳器件与IC接口电路,磁电传感器等。近期,课题组基于AlN/AlScN(氮化铝)压电薄膜的射频滤波器、声学换能器(PMUT)与磁电传感器的研究成果先后在《自然》子刊《微系统与纳米工程》(Microsystems & Nanoengineering)和第...

氮化铝(AlN)是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物。通常状态下为灰色或灰白色,具有高热导率、高温绝缘性、介电性能好、高温下材料强度大以及热膨胀系数低等优点。AlN在射频滤波器中有两方面的应用。其中一种是作为压电薄膜用于制造薄膜体声波滤波器(FBAR)。由于AlN沿c轴取向压电效应明显,在电极材料上制备c轴择优取向的AlN薄膜可获得高性能薄膜体声波器件。氮化铝薄膜通常采用金属化合物气相沉积、脉...

随着5G网络建设全面驶入快车道,射频前端市场中的滤波器板块迎来了升级和放量。然而国产滤波器占比不超过5%,滤波器芯片也是《科技日报》公布的35项我国“卡脖子”技术之一。氮化铝(AlN)是滤波器领域广泛使用的压电材料,但由于压电系数低仅适用于低频段滤波器,为适应滤波器高频段大带宽的发展趋势,产业迫切需要AlN材料技术不断突破。目前商用BAW滤波器市场多基于低Sc掺杂氮化铝薄膜,相关技术被美国公...

随着半导体行业的发展,氮化铝作为半导体材料中的主要代表,其所展现出的优异的性能使得其受到极大的重视。由于氮化铝在自然与科技方面有着许多潜在的优良性能,氮化铝薄膜也因此备受现代科研工作者的青睐。氮化铝薄膜的特性氮化铝薄膜拥有诸多优异的物理化学性质,与其他半导体材料相比,在很多应用领域优势明显,下面是氮化铝薄膜的特性。1、氮化铝薄膜原子间以共价键相结合,因此化学稳定性好、熔点高;2、氮化铝薄膜机...

薄膜材料是现代科学新兴的特殊功能材料,同块体材料相比,薄膜材料具有许多特殊性能,如极薄的厚度产生尺寸效应,由于薄膜材料比表面积很大,会形成显著的表面效应,对表面能、表面态、表面散射和表面干涉均有影响,另外在薄膜材料中还包含有大量的表面晶粒间界和缺陷态,对电子输运性能也影响较大。在基片和薄膜之间还存在有一定的相互作用,因而就会出现薄膜与基片之间的粘附性和附着力问题,以及内应力的问题。这些性能赋...

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