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国际一流研发团队

化合积电拥有国际一流团队,10余年技术积累,领衔建设高水平研究平台

化合积电在厦门、首尔等地建立两大研发中心,拥有近1000平方米研发基地
全球两大研发中心
化合积电荣获“厦门市超宽禁带半导体材料与器件重点实验室”称号
化合积电已有3000平方米生产基地,智能制造,确保品质卓越
重点实验室
3000平生产基地
产品中心

金刚石导热率比铜高五倍,是制作散热片的极佳材料,金刚石热沉片热导率1000-2000W/m.K,晶圆级Ra<1nm

率先开展金刚石氮化镓研究,提供GaN on diamond 、Diamond on GaN等产金刚石氮化镓最全解决方案。

提供2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜、蓝宝石基氮化铝薄膜和金刚石基氮化铝薄膜。
即将发布,敬请期待
行业动态
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GaN 作为第三代半导体材料, 具有更高的自发极化系数及更大的压电系数, 能承受更高的功率密度,适用于高频、 高温大功率电子器件。但随着功率器件向小型化和大功率发展,芯片有源区的热积累效应使  GaN 器件的大功率性能优势远未得到充分发挥。当器件温度上升时, 器件特性如漏源电流、增益、输出功率和寿命等会出现退化, 甚至失效。研究表明,结温每升高10 ~ 12 ℃ ,器件的寿命及可靠性会降低5...
2022-09-23
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随着GaN(氮化镓)在高功率和高频率领域广泛应用,氮化镓功率密度已接近极限值,要提升芯片功率,兼顾降低热阻,必须要有全新的散热方案,金刚石和氮化镓结合因此备受关注。当前金刚石和氮化镓有三种主流方式:将金刚石键合到 GaN 晶片或直接键合到 HEMT 器件;在单晶或多晶金刚石衬底上生长 GaN 外延;在 GaN 的正面或背面上生长纳米晶或多晶金刚石。化合积电一直潜心攻关金刚石和氮化镓结合的核心...
2022-09-22
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应用环境实际要求显示器需以较高的显示亮度在高温环境下保持正常工作。在工作过程中,显示器产生的高热量加剧了其内部温升。高温会导致显示器组成材料的物理性能或尺寸发生改变,也会给温度敏感元器件带来失效的风险。同时,超高亮度显示器主要通过提高LED 光源能量的方式来实现,而 LED 光源能量的提升会导致显示器内部的热能急剧增大。热量的快速积聚不仅会导致 LED 光源输出光强度减弱,甚至会引起 LED...
2022-09-21
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高频电子设备的急剧小型化导致单个组件的局部工作温度急剧升高。金刚石具有宽带隙、高热导率、高载流子迁移率、高击穿场、高载流子饱和速度和高位移能。这些特性使金刚石成为在高温、高压、高频和高辐射等极端环境中具有巨大应用价值的优秀候选材料。金刚石的各种电子器件已经广泛开展研究,包括MOSFET、散热器、探测器、核电池和电化学应用等。目前已经开发了几种高温金刚石器件,包括场效应晶体管(FET)和肖特基...
2022-09-19
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氮空位(NV)中心是指在金刚石中由一个替位氮原子和一个空位构成的点缺陷。NV中心有望应用于固态量子比特、高灵敏度量子传感器等领域。在量子应用中,带负电荷的NV-中心必须处于稳定状态,因为NV器件的灵敏度等参数正比于NV-中心数量。同时,如果NV中心变成中性或带正电荷 (NV0或NV+),其自旋状态将无法操控。在硼掺杂金刚石中,NV中心为NV+状态,因此很少有人研究硼掺杂金刚石的NV中心。但是...
2022-09-16
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根据IDTechEx的报告,5G基础架构的主要挑战之一是热管理。5G天线使用更高频率,需要增加增益才能达到可接受的性能范围。另外,5G毫米波频谱在透过墙壁或窗户等物体时的传播非常差,因此需要更多的单天线单元才能提供足够的覆盖范围。较高的频率还减小了天线元件之间的间距,从而导致电子组件阵列的密度更高,它们都必须及时消散热量。随着网络中天线安装数量的增加和密度的提高,主动热管理冷却方法(例如风扇...
2022-09-15
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金刚石是重要的宽禁带半导体材料,具有最高的硬度、最高的室温热导率、高热稳定性、负电子亲和性和化学惰性等优越性能。在高频、高功率、高温电子器件、深紫外光学器件、室温量子器件等领域具有重要的应用价值。随着晶体尺寸减小到纳米级或原子级尺度,维度变化所引起的尺寸效应、量子效应和表面效应,产生了许多传统体材料所不具有的独特性质。碳-碳的sp2和sp3杂化键合方式很容易发生互相转变,纳米金刚石的尺寸效应...
2022-09-14
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金刚石是金刚石材料体系中热导率最高的,这与其晶体结构密切相关,碳原子由高强度sp 3共价键相连,是典型的共价键晶体,主要通过晶格振动即声子导热,而晶体热导率由热容、声子平均自由程、声子速度决定。金刚石晶格非谐振动弱,声子平均自由程长;Debye 温度高,声子速度快,因此金刚石热导率极高。而在实际应用中热阻也是与热导率同样重要的参数,代表着热量传递过程中受到的阻碍,是热导的倒数。绝对热阻是单位...
2022-09-09
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近年来,新型功率开关器件IGBT已逐渐被人们所认识,IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件(图2),IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写形式,是绝缘栅双极型晶体管。 同时·,IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“CPU”。IGBT是一种大功率的电力电子器件,随着绝缘栅...
2022-09-07
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