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国际一流研发团队

化合积电拥有国际一流团队,10余年技术积累,领衔建设高水平研究平台

化合积电在厦门、首尔等地建立两大研发中心,拥有近1000平方米研发基地
全球两大研发中心
化合积电荣获“厦门市超宽禁带半导体材料与器件重点实验室”称号
化合积电已有3000平方米生产基地,智能制造,确保品质卓越
重点实验室
3000平生产基地
产品中心

金刚石导热率比铜高五倍,是制作散热片的极佳材料,金刚石热沉片热导率1000-2000W/m.K,晶圆级Ra<1nm

率先开展金刚石氮化镓研究,提供GaN on diamond 、Diamond on GaN等产金刚石氮化镓最全解决方案。

提供2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜、蓝宝石基氮化铝薄膜和金刚石基氮化铝薄膜。
即将发布,敬请期待
行业动态
近年来制造功率电子器件都以细微加工和MOS工艺为基础,从而推动了功率电子器件向集成化、模块化方向发展;高压大功率需求的不断增加以及工艺技术的飞速革新,推动着功率器件向着小体积、高性能、速度快的方向发展,在封装时通过多芯片连接从而实现模块化是大势所趋图1 功率器件发展趋势图 但由此而引发的电路发热量也迅速提高,这将导致功率模块器件单位体积内所生成的热量急剧累积,使得芯片寿命下降。实践表明,由于...
2022-11-07
近日,化合积电(厦门)半导体科技有限公司与上海交通大学、武汉华日精密激光股份有限公司分别签署战略合作协议,这标志着化合积电在构建产学研联盟、新产品开发、新应用研究等方面都取得了积极进展。               化合积电与上海交通大学战略合作上海交通大学机械与动力工程学院陈江平教授一直致力于新能源汽车热管理、储能、电子冷却、微通道换热技术的研究,发表论文300余篇,获授权专利百余项,主持...
2022-11-02
近年来,随着氮化镓(GaN)基微波功率器件输出功率的提高及器件尺寸的缩小,散热问题已成为制约其可靠性和稳定性的重要因素之一。在目前所知的天然物质中,金刚石具有最高的热导率,是制备GaN基电子器件不可或缺的散热材料,在高频高功率AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的散热方面极有应用潜力。 实现GaN-on-diamond结构主要有以下3种途径:1,键合法;2,在GaN外延层或HEMT器件上外延...
2022-11-01
中国科学技术大学中科院微观磁共振重点实验室在金刚石量子器件制备方向取得重要进展,发展了一种全新的基于自对准的光子学器件制备加工技术,可将氮-空位色心这一原子级量子传感器以纳米级精度加工到金刚石器件最佳工作位置,实现接近最优光学探测性能的量子传感器阵列。这项研究成果发表在《科学进展》上。 金刚石,俗称“钻石”,具有高硬度、高稳定性、高透光性、高热导率以及超高的禁带宽度等优异的物理化学性质,在超...
2022-10-26
近期,中南大学魏秋平教授课题组展示关于纳米多孔掺硼金刚石(BDD)颗粒微电极及其表面修饰的最新研究成果。该研究创新性地制备了一种以商用单晶BDD颗粒 (cBDD)为衬底的电化学传感用微电极。本文首先使用多种手段对cBDD颗粒进行表面改性,包括使用热丝气相沉积技术在颗粒表面包裹高掺B多晶BDD薄膜(rBDD)、通过Ni热催化刻蚀处理在cBDD、rBDD颗粒表面刻蚀纳米孔 (pcBDD、prBD...
2022-10-25
皮肤是人体最大、最容易接触到的器官之一,但深入皮肤深层进行医学和美容治疗仍是科学研究的难题。近日, 以色列巴伊兰大学的研究人员开发了一种新的方法,为克服这两个挑战提供了一种创新的解决方案。结合纳米技术和光学技术,他们生产出了纳米金刚石颗粒(NDs),它们如此之小,以至于能够穿透皮肤以提供医疗和美容药物。此外,他们创造了一种安全的、基于激光的光学方法,可以量化纳米金刚石对皮肤各层的穿透程度,并...
2022-10-24
近日,港大研究出一项新成果:通过激发光的线偏振调制,实现对纳米金刚石旋转运动的监测。最近十年来,金刚石中的一种类原子缺陷——氮空位色心(NV center)备受关注。而在应用潜力上,团队希望通过进一步完善基于氮空位缺陷色心的新型线偏振调制方法,让其真正用于三维环境细胞矢量力检测、纳米马达运动检测、和高分辨生物成像等领域。图1 新型线偏振调制方法示意图该研究工作基于氮空位缺陷色心领域已知的偏振...
2022-10-08
GaN 作为第三代半导体材料, 具有更高的自发极化系数及更大的压电系数, 能承受更高的功率密度,适用于高频、 高温大功率电子器件。但随着功率器件向小型化和大功率发展,芯片有源区的热积累效应使   GaN 器件的大功率性能优势远未得到充分发挥。当器件温度上升时, 器件特性如漏源电流、增益、输出功率和寿命等会出现退化, 甚至失效。研究表明,结温每升高10 ~ 12 ℃ ,器件的寿命及可靠性会降低...
2022-09-23
随着GaN(氮化镓)在高功率和高频率领域广泛应用,氮化镓功率密度已接近极限值,要提升芯片功率,兼顾降低热阻,必须要有全新的散热方案,金刚石和氮化镓结合因此备受关注。当前金刚石和氮化镓有三种主流方式:将金刚石键合到 GaN 晶片或直接键合到 HEMT 器件;在单晶或多晶金刚石衬底上生长 GaN 外延;在 GaN 的正面或背面上生长纳米晶或多晶金刚石。化合积电一直潜心攻关金刚石和氮化镓结合的核心...
2022-09-22
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