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金刚石热沉片
晶圆级金刚石
硅基氮化铝
金刚石基氮化铝

金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料,优势诸多:

1.极高的热传导:热导率2200W/m.K ,室温下金刚石具有最高的热导率

2.极高的介质击穿特性:击穿电场为107V/cm,是GaAs的50倍,GaN的2倍,SiC的2.5倍

3.极高的功率容量:容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上;特别适合制作大功率电子器件

4.低的介电常数:介电常数为5.7,约为GaAs的1/2,比InP的一半还小

5.高饱和载流子速度:饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍,在电场强度增加时也维持高速率

6.高载流子迁移率:电子迁移率为4500c㎡/(V·s),高于绝大多数材料,适合制作高频电子器件

……

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产品名称:CVD金刚石热沉片(Dia-Ra 30)

生长方法:MPCVD

厚度(Thickness):可定制 金刚石(diamond)0~500um;  

厚度公差(Thickness tolerance):+/- 20um  

尺寸(Size):1cm*1cm;2英寸 ; 可定制

生长面表面粗糙度(Roughness of growth surface):< 30 nm Ra

FWHM (D111):0.354

热导率(T.C)TDTR检测方法:1500±200W/m.K  




金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料,优势诸多:

1.极高的热传导:热导率2200W/m.K ,室温下金刚石具有最高的热导率;

2.极高的介质击穿特性:击穿电场为107V/cm,是GaAs的50倍,GaN的2倍,SiC的2.5倍;

3.极高的功率容量:容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上;特别适合制作大功率电子器件;

4.低的介电常数:介电常数为5.7,约为GaAs的1/2,比InP的一半还小;

5.高饱和载流子速度:饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍,在电场强度增加时也维持高速率;

6.高载流子迁移率:电子迁移率为4500c㎡/(V·s),高于绝大多数材料,适合制作高频电子器件;

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金刚石.png

产品名称:晶圆级金刚石(Dia-Ra 0.5)(Polycrystalline Diamond )

生长方法:MPCVD

厚度(Thickness):可定制 金刚石(diamond)0~500um;   

厚度公差(Thickness tolerance):+/- 20um   

尺寸(Size):1cm*1cm;2inch;可定制

生长面表面粗糙度(Roughness of growth surface): < 1 nm Ra

FWHM (D111): 0.354

热膨胀系数 :1.3 (10-6K-1)

热导率(T.C)TDTR检测方法:1500±200W/m.K   




氮化铝(AlN)是少数几种具有高导热性能的非金属材料之一,具有广阔的市场应用前景。化合积电实现向众多客户提供2英寸/4英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积等产品,亦可根据应用要求,进行定制化生长。


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产品名称:AlN on Si  

基底材料(Substrate):500±10um   Si(100)

直径(inch):2、4……可定制  

AlN外延厚度(Thickness):50~200nm

晶面取向(Orientation):c-aixs [0001]

表面粗糙度(nm)(5x5um) :Ra < 1nm (200nm)  

HRXRD半高宽(°) @(0002):<1.5°

总厚度变化(TTV):< 7um

翘曲度(Warp):<30um   

弯曲度(Bow) :-10 ~15um  

包装(Packaging) :单片/多片晶圆盒

       氮化铝(AlN)是少数几种具有高导热性能的非金属材料之一,具有广阔的市场应用前景。化合积电实现向众多客户提供2英寸/4英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜模板、1CM*1CM金刚石基氮化铝、氮化铝单晶气相沉积等产品,亦可根据应用要求,进行定制化生长。


产品参数如下:

产品名称:金刚石基氮化铝模板(AlN   on Diamond)

基材:1cm×1cm

基材厚度:300±20μm  

厚度(Thickness):可定制 50~ 400nm;  

厚度公差(Thickness tolerance):+/- 10nm  

尺寸(Size):1cm×1cm

生长面表面粗糙度(Roughness of growth surface):Ra < 1nm  

FWHM :退火前 0.39°


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