金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料，优势诸多：

1.极高的热传导：热导率2200W/m.K ，室温下金刚石具有最高的热导率

2.极高的介质击穿特性：击穿电场为107V/cm，是GaAs的50倍，GaN的2倍，SiC的2.5倍

3.极高的功率容量：容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上；特别适合制作大功率电子器件

4.低的介电常数：介电常数为5.7，约为GaAs的1/2，比InP的一半还小

5.高饱和载流子速度：饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍，在电场强度增加时也维持高速率

6.高载流子迁移率：电子迁移率为4500c㎡/（V·s），高于绝大多数材料，适合制作高频电子器件

……

产品名称：CVD金刚石热沉片（Dia-Ra 30)

生长方法：MPCVD

厚度（Thickness）：可定制 金刚石（diamond）0~500um;  

厚度公差（Thickness tolerance）：+/- 20um  

尺寸（Size）：1cm*1cm；2英寸 ； 可定制

生长面表面粗糙度（Roughness of growth surface）：< 30 nm Ra

FWHM （D111）：0.354

热导率（T.C）TDTR检测方法：1500±200W/m.K  

金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料，优势诸多：

1.极高的热传导：热导率2200W/m.K ，室温下金刚石具有最高的热导率；

2.极高的介质击穿特性：击穿电场为107V/cm，是GaAs的50倍，GaN的2倍，SiC的2.5倍；

3.极高的功率容量：容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上；特别适合制作大功率电子器件；

4.低的介电常数：介电常数为5.7，约为GaAs的1/2，比InP的一半还小；

5.高饱和载流子速度：饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍，在电场强度增加时也维持高速率；

6.高载流子迁移率：电子迁移率为4500c㎡/（V·s），高于绝大多数材料，适合制作高频电子器件；

……

产品名称：晶圆级金刚石（Dia-Ra 0.5)(Polycrystalline Diamond )

生长方法：MPCVD

厚度（Thickness）：可定制 金刚石（diamond）0~500um;   

厚度公差（Thickness tolerance）：+/- 20um   

尺寸（Size）：1cm*1cm；2inch；可定制

生长面表面粗糙度（Roughness of growth surface）： < 1 nm Ra

FWHM （D111）： 0.354

热膨胀系数 ：1.3 (10-6K-1)

热导率（T.C）TDTR检测方法：1500±200W/m.K   

氮化铝（AlN）是少数几种具有高导热性能的非金属材料之一，具有广阔的市场应用前景。化合积电实现向众多客户提供2英寸/4英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积等产品，亦可根据应用要求，进行定制化生长。

产品名称：AlN on Si  

基底材料（Substrate）：500±10um   Si(100)

直径（inch）：2、4……可定制  

AlN外延厚度（Thickness）：50~200nm

晶面取向（Orientation）：c-aixs [0001]

表面粗糙度（nm）(5x5um) ：Ra < 1nm (200nm)  

HRXRD半高宽(°) @（0002）：＜1.5°

总厚度变化(TTV)：＜ 7um

翘曲度(Warp)：＜30um   

弯曲度(Bow) ：-10 ~15um  

包装（Packaging） ：单片/多片晶圆盒

       氮化铝（AlN）是少数几种具有高导热性能的非金属材料之一，具有广阔的市场应用前景。化合积电实现向众多客户提供2英寸/4英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜模板、1CM*1CM金刚石基氮化铝、氮化铝单晶气相沉积等产品，亦可根据应用要求，进行定制化生长。

产品参数如下：

产品名称：金刚石基氮化铝模板(AlN   on Diamond)

基材：1cm×1cm

基材厚度：300±20μm  

厚度（Thickness）：可定制 50~ 400nm;  

厚度公差（Thickness tolerance）：+/- 10nm  

尺寸（Size）：1cm×1cm

生长面表面粗糙度（Roughness of growth surface）:Ra < 1nm  

FWHM :退火前 0.39°