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金刚石热沉片
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晶圆级金刚石
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硅基氮化铝
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金刚石基氮化铝
金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料,优势诸多: 1.极高的热传导:热导率2200W/m.K ,室温下金刚石具有最高的热导率 2.极高的介质击穿特性:击穿电场为107V/cm,是GaAs的50倍,GaN的2倍,SiC的2.5倍 3.极高的功率容量:容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上;特别适合制作大功率电子器件 4.低的介电常数:介电常数为5.7,约为GaAs的1/2,比InP的一半还小 5.高饱和载流子速度:饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍,在电场强度增加时也维持高速率 6.高载流子迁移率:电子迁移率为4500c㎡/(V·s),高于绝大多数材料,适合制作高频电子器件 …… 产品名称:CVD金刚石热沉片(Dia-Ra 30) 生长方法:MPCVD 厚度(Thickness):可定制 金刚石(diamond)0~500um; 厚度公差(Thickness tolerance):+/- 20um 尺寸(Size):1cm*1cm;2英寸 ; 可定制 生长面表面粗糙度(Roughness of growth surface):< 30 nm Ra FWHM (D111):0.354 热导率(T.C)TDTR检测方法:1500±200W/m.K 金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料,优势诸多: 1.极高的热传导:热导率2200W/m.K ,室温下金刚石具有最高的热导率; 2.极高的介质击穿特性:击穿电场为107V/cm,是GaAs的50倍,GaN的2倍,SiC的2.5倍; 3.极高的功率容量:容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上;特别适合制作大功率电子器件; 4.低的介电常数:介电常数为5.7,约为GaAs的1/2,比InP的一半还小; 5.高饱和载流子速度:饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍,在电场强度增加时也维持高速率; 6.高载流子迁移率:电子迁移率为4500c㎡/(V·s),高于绝大多数材料,适合制作高频电子器件; …… 产品名称:晶圆级金刚石(Dia-Ra 0.5)(Polycrystalline Diamond ) 生长方法:MPCVD 厚度(Thickness):可定制 金刚石(diamond)0~500um; 厚度公差(Thickness tolerance):+/- 20um 尺寸(Size):1cm*1cm;2inch;可定制 生长面表面粗糙度(Roughness of growth surface): < 1 nm Ra FWHM (D111): 0.354 热膨胀系数 :1.3 (10-6K-1) 热导率(T.C)TDTR检测方法:1500±200W/m.K 氮化铝(AlN)是少数几种具有高导热性能的非金属材料之一,具有广阔的市场应用前景。化合积电实现向众多客户提供2英寸/4英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积等产品,亦可根据应用要求,进行定制化生长。 产品名称:AlN on Si 基底材料(Substrate):500±10um Si(100) 直径(inch):2、4……可定制 AlN外延厚度(Thickness):50~200nm 晶面取向(Orientation):c-aixs [0001] 表面粗糙度(nm)(5x5um) :Ra < 1nm (200nm) HRXRD半高宽(°) @(0002):<1.5° 总厚度变化(TTV):< 7um 翘曲度(Warp):<30um 弯曲度(Bow) :-10 ~15um 包装(Packaging) :单片/多片晶圆盒 氮化铝(AlN)是少数几种具有高导热性能的非金属材料之一,具有广阔的市场应用前景。化合积电实现向众多客户提供2英寸/4英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、2英寸/4英寸硅基氮化铝薄膜模板、1CM*1CM金刚石基氮化铝、氮化铝单晶气相沉积等产品,亦可根据应用要求,进行定制化生长。 产品参数如下: 产品名称:金刚石基氮化铝模板(AlN on Diamond) 基材:1cm×1cm 基材厚度:300±20μm 厚度(Thickness):可定制 50~ 400nm; 厚度公差(Thickness tolerance):+/- 10nm 尺寸(Size):1cm×1cm 生长面表面粗糙度(Roughness of growth surface):Ra < 1nm FWHM :退火前 0.39° |