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MPCVD制备金刚石热沉片进展

发表时间:2022-05-08 08:00作者:化合积电网址:http://www.csmc-semi.com

目前,金刚石的制备方法主要分为高温高压法(HPHT)和等离子体化学气相沉积法(PCVD),相对于HPHT法和其他PCVD法,MPCVD在大尺寸、高纯度金刚石制备方面优势更明显,是高质量和多领域应用金刚石制备的首选方法。


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多晶金刚石膜作为半导体功率器件散热的热沉应用更广,需求更大、更迫切。目前其沉淀的技术水平也较容易实现。此外,多晶金刚石的制备成本相对于单晶金刚石的制备成本优势更加明显。近 30年来MPCVD多晶金刚石膜作为热沉应用于半导体器件领域的研究从未间断,目前英寸级Si基多晶金刚石膜应用于HEMTs器件中,器件的RF功率密度得到有效提高, 达到23 W/mm 以上。


近年来,国内MPCVD设备开发相关的研究团队在新型MPCVD谐振腔的开发方面取得了一定的成果。北京科技大学、太原理工大学、西安电子科技大学等高校在MPCVD金刚石制备、椭球形谐振腔MPCVD设备以及用于光学级金刚石制备的圆柱形谐振腔结构的 MPCVD 装置等方面都取得了喜人的成果。


集美大学半导体研究院与化合积电(厦门)半导体科技有限公司携手深度产学研合作,在国内率先采用MPCVD制备高质量金刚石的核心工艺并实现量产,核心产品晶圆级金刚石热沉片表面粗糙度<1nm,达到国际领先水平。化合积电积极进行设备设计,目前4~5英寸设备正在进行研发,预计2022年下半年可完成,敬请期待。现有金刚石热沉片、晶圆级金刚石热沉片、GaN on diamond、diamond on GaN等核心产品为广大客户提供专业的热管理解决方案,已应用于光通信、激光二极管、功率晶体管、电子封装材料等领域。


化合积电团队将持续的投入和钻研,不断推进产品研发和技术创新,致力于成为全球领先的宽禁带半导体企业,为破解国产科技“卡脖子”难题和推动科技的发展和进步贡献力量。


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