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5G时代:金刚石热沉片蓄势待发!

发表时间:2022-05-10 15:31作者:化合积电网址:http://www.csmc-semi.com

5G技术的快速发展为新材料应用于通讯领域提供了广阔的前景,也带来的新一轮科技创新周期。对全产业链器件原材料、基站天线、小微基站、通信网络设备、光纤光缆、光模块、系统集成与服务商、运营商等造成积极的影响。


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随着5G通讯的迅速发展,5G基站的市场普及率也越来越高。5G建设对天线设计、节能降耗、中高频器件提出了更高的要求,5G创新技术的出现推动了光纤等产业向高附加值产业的发展,技术要求也得到提升。对于基站体积的减小,对天线,滤波器的集成化要求也随之增高,也使得基站散热器的尺寸受到阻碍。但5G基站的发热件尺寸小、功耗大,且长时间运行累积的热量若不及时散发出去的话,会严重影响5G基站的通讯信号以及其使用寿命。


金刚石具有禁带宽度大、硬度和热导率极高、电子饱和漂移速度高、耐高温、耐腐蚀、抗辐照等优异性能,在高压和高效功率电子、高频和大功率微电子、深紫外光电子等领域都有着极其重要的应用前景。金刚石具有目前所知的天然物质中最高的热导率(2000W/(m·K )),比碳化硅(SiC)大4倍,比硅(Si)大13倍,比砷化稼(GaAs)大43倍,是铜和银的4~5倍,目前金刚石热沉片大有可为。


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另外,在电子元器件材料表面沉积纳米金刚石薄膜,可以大大缩小原来元件中用于散热的部件尺寸,这不仅解决了导热问题,而且也提供了制作超大规模集成电路的可能。膜层对导体也起到了绝缘保护的作用,避免了元件之间的相互干扰。


同时, CVD金刚石是一种性能优异的高温、宽带隙半导体材料,其电子和空穴载流子迁移速度极高。CVD金刚石半导体其工作最高温度可达到600℃以上,这是金刚石材料被定格的终极应用。材料学家预测,CVD半导体器件的问世是电子技术的一场革命。


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化合积电采用最先进的 MPCVD 装置,制备大面积高品质金刚石膜,具有高厚度均匀性和高生长速率;使用研磨抛光专用设备,使CVD金刚石生长面表面粗糙度 Ra < 1 nm,呈镜状光泽。完全符合金刚石作为电子元件,具备的极低的表面粗糙度和极高的面型精度,从而增大接触面积,提高其散热效率;采用激光切割,热影响区小、工件基本无变形、工具无损耗、割缝窄、切割速度快、割缝边缘垂直度好、切好无机械应力等。


我们坚持以持续的技术创新为客户创造价值,秉持为客户提供“高质量、低成本、大面积的产品”理念,不断立足前沿,持续突破,工艺革新方向,在5G基站、快充、光伏、新能源汽车等领域,得到了行业头部重量级客户认可。


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