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氮化铝在光电子器件领域的应用

发表时间:2021-09-10 15:50作者:化合积电网址:http://www.csmc-semi.com

光电子器件领域是AlN发展最为成熟的领域之一,氮化铝薄膜衬底较低的位错密度(典型值为10 5 cm -2 )已被证实优于Si、SiC和蓝宝石衬底器件,可极大地提高深紫外发光二极管、激光器和探测器的发光效率。目前已有采用AlN衬底的深紫外LED产品的销售,而AlN激光二极管(LD)和雪崩光电二极管(APD)探测器尚未进入实用化。通过使用AlN晶体衬底可使发光波长从UVA(400~320 nm)、UVB(320~280 nm) 扩展到UVC(280~200 nm),使用Mg掺杂AlN纳米线阵列可有效改善材料的导电性,可实现高效深紫外光电器件。

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