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第三代半导体材料--氮化铝AlN薄膜

发表时间:2021-09-17 14:24作者:化合积电网址:http://www.csmc-semi.com

氮化铝(AlN)是一种宽禁带半导体材料,具有高达6.2 eV的直接带隙,并且具有宽带隙、高熔点、高临界击穿场强、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异性质、热导率高、表面声速大、机械硬度大等优良性质。因此,氮化铝薄膜在制作高功率、高频率电子器件、固态激光探测器和短波长发光二极管方面具有广泛的应用前景。同时氮化铝晶体也是外延生长Ⅲ族氮化物的理想衬底材料,能够弥补Si、蓝宝石、SiC等衬底材料所存在的晶格失配大,热失配大的缺点。

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        随着全球对能源节约的需求越来越高,使得能提高能源转换效率的高性能电力设备和创新的新型电力半导体技术创造了巨大的机遇。在这些应用中,每一点的功率效率都很重要。与其他已知的半导体材料相比,基于AlN的芯片可以提高所有电压范围的效率,包括硅(Si)、碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)。对于给定的阻塞电压,基于aln的设备可以有40X的较低的特定的电阻。这不仅从根本上支持新的设备技术,而且从根本上提高设备和系统效率。


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化合积电成功在硅上制备高质量氮化铝(AlN)薄膜XRC<0.9°,表面粗糙度Rq<1.2 nm ,高质量氮化铝薄膜助力氮化镓(GaN)实现大尺寸、高质量、低成本。目前,我们提供专业高品质的氮化铝薄膜代工服务,欢迎洽谈合作!


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