发光二极管（LED）与传统的白炽灯相比具有驱动电压低、节能、高稳定度、响应时间短、不含有害的金属汞等优点。美国等国家对LED照明效益进行了预测,美国55％白炽灯及55％的日光灯将被LED取代‚每年可节省350亿美元电费,减少7.55亿吨二氧化碳排放量。然而LED的的发光功率较低，通常每组信号灯需由300～500只二极管构成，如果能低成本制备出高功率的LED将更有利于LED 的广泛使用。据称高...

GaN 功率器件的理论输出功率密度可达40 W/mm 以上，但是由于现阶段因其自身热效应问题导致 GaN HEMT 器件功率密度仅为 3~5 W/mm，由此可见其自身优势远远未发挥。主要原因是在高偏置电压工作状态下，过大的功率耗散导致器件升温，而传统的低热导率衬底和散热途径的散热能力有限，阻碍热量向周围环境扩散，进而加强声子散射，引起势阱中载流子迁移率下降，使器件的静态 I-V 特性衰减，这...

用于热沉领域的金刚石薄膜的必须具有高热导率，这就要求制备的金刚石薄膜纯净，缺陷少，面积大，同时还要求有较高的生长速率以降低生产成本。采用具有等离子体密度高、无放电电极污染、控制性好等优点的微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法，是工业上制备热沉金刚石的理想方法。MPCVD沉积装置不仅能沉积高纯度的金刚石膜，沉积速率也可以通过增大微波功率来提高。用5KW 微波功率的MPCVD，可以以10μm...

随着半导体器件功率密度的不断攀升，对热管理材料热导率提出了更高要求，具有超高热导率的第四代封装材料金属/金刚石开始进入了人们的视野，产业化趋势明朗。近年来，以金刚石为代表的高性能热沉衬底材料，正朝着高散热性能、低热膨胀、高强韧、超薄等方向快速发展，有望突破国家重大战略需求如航天、电子通讯及器件等领域的技术发展中面临的高功率电子器件散热瓶颈问题。电子封装产业链结构尤其是宽禁带半导体器件、高功率...

众所周知，大功率二极管泵浦固体激光器应用广泛，在工业加工领域主要有激光切割、打磨、焊接；在国产航空母舰、护卫舰、潜水艇等船舶的建造过程中，使用大功率激光技术对复杂形状的厚钢板进行切割焊接；军事领域主要应用在激光武器上，如激光导弹、激光扫雷战车、大功率激光炮；在科学研究、医疗手术、居家娱乐、生物化学、太空探索等领域，都具有极高的实用价值。但激光二极管泵浦的固体激光器的热效应问题严重影响了激光器...

随着无线通信和雷达等系统的工作频率向毫米波频段扩展，传统半导体材料无法满足毫米波新兴系统对功率放大器件在输出功率、效率、工作带宽和热稳定性等方面的要求。而GaN 材料在工艺成熟度和制备成本上有更大的优势，GaN 功率器件和射频器件成为了雷达、电子战和第五代移动通信（5G）等系统在毫米波频段重要的功率放大器件。理论上，GaN 功率器件的输出功率密度可达40 W / mm 以上，但是由于现阶段因...

金刚石是绝缘体，自由运动的电子数很少，对导热的贡献主要是来自原子振动（晶格振动）。固体物理中用格波来描述晶格振动，最小能量单元的格波成为声子。在室温下，金刚石中碳原子半径小，结合力强，声子流传输容易；且金刚石弹性模量大，密度小，其德拜温度在2220K左右，高的德拜温度也决定着金刚石具有较高声子平均速度（1.82x10‘ m / s )，因此有极高的热导率。在室温下天然的金刚石热导率为2200...

随着碳材料的发展以及其杰出的导热性能，碳材料作为导热填料的研究越来越多，已经成为了学术界和产业界新进研究的热点。热界面材料行业内一般采用导热系数更高的碳材料进行填充碳材料是自然界中最丰富的材料之一，它具有多种同素异形体体。通过sp2 杂化可形成层状结构的石墨，石墨材料又可剥离出石墨烯；将 sp2 杂化排列的网状结构卷曲成环状可形成碳纳米管；而 sp3 杂化则可形成金刚石。除此之外，还有无定形...

5G技术的快速发展为新材料应用于通讯领域提供了广阔的前景，也带来的新一轮科技创新周期。对全产业链器件原材料、基站天线、小微基站、通信网络设备、光纤光缆、光模块、系统集成与服务商、运营商等造成积极的影响。随着5G通讯的迅速发展，5G基站的市场普及率也越来越高。5G建设对天线设计、节能降耗、中高频器件提出了更高的要求，5G创新技术的出现推动了光纤等产业向高附加值产业的发展，技术要求也得到提升。对...

金刚石由于具有高热导率对于大功率电子器件拥有广泛的应用前景，使用金刚石作为大功率电子器件的热沉将大大提高这些器件的性能。目前高功率电子器件普遍使用的散热材料是氮化铝热沉，将其作为过渡热沉烧结在铜热沉上。随着金刚石制造技术的大力发展，金刚石的成本得到降低，使得金刚石得到了广泛的应用。目前化合积电金刚石热沉片的热导率最高已经达到 2000W/（K·m）以上，远远大于氮化铝和铜的热导率。若将其作为...