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CVD金刚石热沉片是什么_介绍_相关报价信息

目前,金刚石的制备方法主要分为高温高压法(HPHT)和等离子体化学气相沉积法(PCVD),相对于HPHT法和其他PCVD法,MPCVD在大尺寸、高纯度金刚石制备方面优势更明显,是高质量和多领域应用金刚石制备的首选方法。多晶金刚石膜作为半导体功率器件散热的热沉应用更广,需求更大、更迫切。目前其沉淀的技术水平也较容易实现。此外,多晶金刚石的制备成本相对于单晶金刚石的制备成本优势更加明显。近 30...

近年来,基于GaN微波功率器件的设计和工艺不断提高和改进,其理论输出功率越来越高(4 GHz,~40 W/mm),频率越来越大,体积越来越小 。然而,尺寸小型化和功率增大化条件下,GaN基微波功率器件的可靠性和稳定性受到严重挑战,其中最主要原因是GaN基功率器件随着功率密度增加,芯片有源区的热积累效应迅速增加,导致其各项性能指标迅速恶化,使其大功率优势未能充分发挥。因此,散热问题成为制约Ga...

金刚石具有任何材料中最高的热导率,这使其成为电子设备中热管理的绝佳选择。一旦制造了半导体器件,就必须将芯片封装并内置到电气系统或电子产品中。金刚石材料的优异热性能,具有最高的导热率和低的热膨胀系数,可用于电力电子的热管理。典型的CVD金刚石散热封装几何形状金刚石热沉片的高导热率和高介电强度的结合对于大功率激光二极管阵列,RF模块和大功率晶体管而言非常有价值。氧化铍(BeO)衬底由于其高导热率...

近日,福建省委书记、省人大常委会主任尹力在莅临集美大学调研时,莅临半导体产业技术研究院暨化合积电(厦门)半导体科技有限公司研发中心调研,认真察看自主研发项目情况,省领导崔永辉、吴偕林等领导陪同调研。主流媒体福建日报·新福建客户端、福建新闻频道等进行了报道。

随着航天、通信等领域电子器件向着小型化集成化和高功率化的趋势不断发展,急剧增加的热通量给器件散热带来巨大挑战,过高的温度已经成为电子器件寿命降低和性能失效的重要因素,电子封装材料作为半导体芯片散热的主要通道。 高功率半导体激光器工作时由于单颗芯片出光功率大,单位面积产生的热量大,如果不做好散热技术,很容易发生芯片死亡,性能快速下降。热效应影响,降低了激光器的输出功率、电光转换效率,甚至减少激...

随着电子技术快速发展,半导体材料不断更新换代的同时,集成电路也向着大规模、高集成、大功率方向不断深入。以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的应用,使得绝缘栅双极晶体管(IGBT)得到迅速发展,正在开启新一代信息技术的新局面。大功率、高电流密度是IGBT芯片的发展趋势,这势必会造成电子元器件过热。研究数据表明,芯片表面温度达到 70~80℃时,温度每增加1℃,芯片可靠性下降5%,超过55%...

北京时间2022年4月16日9时56分,神舟十三号载人飞船返回舱在东风着陆场成功着陆,神舟十三号载人飞行任务取得圆满成功。中国航天,又站在了一个新的起点。随着航天事业的快速发展,相控阵天线由于具有波束转换灵活、寿命长、可靠性好等突出优势,在空间信息传输、空间探测等方面将发挥关键作用。但是,相控阵天线具有高性能、高集成度和高热流密度等特征,在其内部狭小的空间内密集布置着数量众多的T/R模块,导...

尽管GaN功率器件具有极高的输出功率能力,但现阶段的应用(主要为GaNHEMT和功放MMIC)因其热效应问题导致输出功率密度仅在3~5W/mm,远低于其实验室验证的42W/mm,可以看出,GaN半导体特有的大功率性能优势远未充分发挥。这是由于GaN功率器件在工作时其沟道区域内不可避免地产生热功耗,这种内热功耗的积累导致芯片的结温升高,在高源漏偏置电压下器件就会出现输出特性衰减现象,被定义为“...

微电子技术与集成技术的飞速发展,带动了硅电力电子器件的长足进步。然而,受硅材料特性的限制,在兼顾高频大功率和提高温度方面不可能有更大的突破。从大功率应用来看,制造电力电子器件的理想材料应同时具备禁带宽、载流子迁移率高、热导率大灯特点。相比之下,在众多半导体材料中,硅单晶并不是理想的选择。金刚石与GaAs、6H-SiC、Si、以及GaN的性质比较宽禁带半导体金刚石的禁带宽、击穿场强高、热导率大...

射频通讯领域,5G手机朝着高传输速率、高度集成化和轻薄化等方向不断升级, 发热量相对于4G 时代大幅增加,散热需求也随之大幅提升。在基站领域,根据中通服咨询设计研究院数据,5G基站单站功耗是4G基站单站的2~3倍,因此在5G基站的推广过程中亟需更节能的器件及更有效的散热。金刚石材料超具潜力金刚石具有优异的高导热率、低膨胀系数等性能,在散热领域拥有巨大潜力,金刚石热沉片作为电子封装材料已成为研...

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