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CVD金刚石热沉片是什么_介绍_相关报价信息

随着半导体激光器制造工艺的成熟,特别是高功率小体积器件,可靠性成为制约其发展的重要因素。高功率半导体激光器会在小面积上产生一个极大的热通量,特别是连续波( CW )驱动下,局部热阻造成有源区温度随着电流增大而不断升高,使电光转换效率随温度升高指数降低,甚至引发腔面灾变性光学损伤,严重抑制器件的可靠性与使用寿命。目前半导体激光器封装常用的热沉材料如:AIN和Cu等,其中 AIN 由于导热率低,...

21世纪初,以金刚石、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为主的具有超宽带隙特性的第三代半导体材料开始进入人们的视野,其中金刚石由于自身特性成了其中备受关注的佼佼者,它带隙宽、热导率高、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温、抗酸碱、抗腐蚀、抗辐照,优越的性能使其在高功率、高频、高温领域等方面发挥重要作用,甚至业界将其称为“终极半导体材料”。理论上说,金刚石无论热学、光学还是导电性都具有极高的价...

金刚石优越的性能使其在高功率、高频、高温领域等方面发挥重要作用。金刚石在室温下具有最高的热导率,是铜、银的5倍,又是良好的绝缘体,因而是大功率激光器件、微波器件、高集成电子器件的理想散热材料。可以说,金刚石是目前最有发展前途的热管理材料之一,化合积电金刚石热沉片热导率可达1000-2000W/m.k,是金刚石热管理经典场景的主要应用材料。工业应用的金刚石大都是人工合成的金刚石或金刚石膜。目前...

据统计,由热量集中引起的电子元器件故障占总故障率的55%,大功率产品散热设计对产品的可靠性有着至关重要的影响;而半导体激光器体积小、寿命长,除了通信领域,也可以在雷达、测声、医疗中应用。但研究发现,散热影响寿命和使用情况;同时电力电子CPU温度过高会造成电脑自动关机、蓝屏、死机、电脑卡顿等情况,长期温度过高,影响其使用寿命。国内现有热沉方案:国内半导体功率器件主要采用这三类材料作为热沉:陶瓷...

5G时代巨大数据流量对于通讯终端的芯片、天线等部件提出了更高的要求,器件功耗大幅提升的同时,引起这些部位发热量的急剧增加。目前大功率、高电流密度是IGBT芯片的发展趋势,这势必会造成电子元器件过热。研究数据表明,芯片表面温度达到70~80℃时,温度每增加1℃,芯片可靠性下降5%,超过55%的电子设备的失效形式是中温度过高引起的。散热是当前5G射频芯片、毫米波天线、无线充电、无线传输、IGBT...

GaN元件的性能受发热限制是一直存在的缺点,但通过结合地球上导热率最高的金刚石,可以将GaN晶体管的温升控制在以往的四分之一左右。随着GaN与金刚石结合的技术不断发展,不同厚度、热阻、热导率影响金刚石基GaN方面的研究更加深入细化。为研究衬底厚度,GaN-衬底界面热阻,衬底的热导率各向异性对器件结温的影响。从图1和图2(其中θ 1为结温,θ 2为环境温度)可以看出,权衡考量成本和散热效果,衬...

金刚石在高功率、高频、高温领域等方面发挥重要作用,是目前最有发展前途的半导体材料之一,其经典的应用场景为热管理领域。针对热管理领域,化合积电推出金刚石热沉片、晶圆级金刚石、金刚石基氮化铝、金刚石基氮化镓外延片等一系列产品,全方面解决高功率、高频、高温领域的散热问题。

CO2激光器是工业上常用的激光器之一,在加工、通信、雷达、化学分析、外科手术等领域有着重要应用。随着CO2激光器功率的提高,对输出窗口的要求越来越苛刻,目前常用的窗口材料ZnSe、GaAs会在机械应力以及热应力的作用下,发生畸变或者破碎,导致窗口失效、损坏。高功率输出要求窗口必须具有高透过性、高热导率、热稳定性以及机械强度等综合性能,寻找一种优异的窗口材料是目前CO2激光器性能提升的关键。研...

富士通株式会社和富士通研究所成功开发了世界上第一种在氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)表面生长具有高效散热的金刚石膜的技术,该技术用于气象雷达和通信设备等技术的功率放大器,使设备运行热量减少40%,温度可以降低100°C或更高。用金刚石膜覆盖GaN HEMT的背面,还要覆盖前表面,从而提高散热效率。需要具有大晶粒尺寸的金刚石晶体有效地传递热量,以便热量不会积聚在金刚石内部。通常需要...

核电被认为是一种清洁能源,因为它的二氧化碳排放量为零;然而,与此同时,随着世界各地越来越多的反应堆的建成,会产生大量危险的放射性废物,并不断堆积。专家们针对这个问题提出了不同的解决方案,以更好地保护环境和人们的健康。由于没有足够的安全储存空间来处理核废料,这些想法的焦点是材料的再利用。再利用的其中一个实践是放射性金刚石电池,这是一种具有成本效益的回收核废料的方法,因此备受关注。放射性金刚石电...

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