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CVD金刚石热沉片是什么_介绍_相关报价信息

近年来,氮化镓(GaN)具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,被广泛应用于高频、大功率微波、毫米波器件等,与此同时,各领域对GaN基微波功率器件的功率、频率、效率及可靠性等方面也提出更高的要求,更大功率、更高效率发展的GaN HEMT器件的低热耗散能力已成为制约器件性能提升的重要因素,而热耗散能力又主要由器件的衬底材料决定。与目前常用的SiC基GaN微波功...

一直以来,CVD金刚石热沉片、光伏逆变器元器件环节长期被国外厂商占据大部分市场份额,但在中美贸易摩擦期间,国产功率器件发展步伐加快,采用宽禁带半导体即碳化硅SiC和氮化镓GaN,将是光伏逆变器的制胜之道,助力中国光伏迎来新一轮的提效降本技术热潮。

在高温高压下合成大单晶金刚石、PCD和PDC,在低压下制备CVD金刚石热沉片。含碳气体和氢气的混合物在低于标准大气压的高温高压下被激发分解,形成活性金刚石碳原子,然后沉积在基底上形成聚晶金刚石(或在受控沉积条件下沉积单晶或准单晶金刚石)。由于CVD金刚石热沉片不含任何金属催化剂,其热稳定性接近天然金刚石。  CVD金刚石热沉片材料的硬度、耐磨性、导热性和热稳定性均优于PCD材料,与单晶金刚石...

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