设为首页 | 收藏本站
浏览最多的文章
金刚石氮化镓是什么_介绍_相关报价信息

金刚石中的缺陷可以用作新量子材料的传感器。对于珠宝销售商来说,具有缺陷的钻石(金刚石)往往代表着贬值。但是对于物理学家来说,金刚石中的缺陷却为物理学的发展提供了一个新的机会,可以推动未来量子设备的发展,并且有机会成为未来量子计算机的支柱。加州大学圣地亚哥分校物理系(UC San Diego Department of Physics)助理教授杜春晖(Chunhui Rita Du)是一位凝聚...

以 GaN 为代表的新一代半导体材料具有宽带隙、高击穿场强、高电子饱和速度、耐高压高温等独特优势, 综合特性远高于 GaAs 和 Si 等半导体材料, 极为适用于固态大功率器件及高频微波器件,在雷达、电子对抗和移动通信等军民领域引起了高度关注, 尤其是 AlGaN /GaN 高电子迁移率晶体管( HEMT) 成为近十年来的研究热点。最新研究报道,GaN HEMT 的直流功率密度可达到 56 ...

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业,这种材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,在5G通讯、航天、国防等领域具有极高的应用价值,是近20余年以来研制微波功率器件最理想的半导体材料。与其他类型芯片类似,在尺寸小型化和功率增大化的条件下,尤其是在高偏置电压工作状态下,...

2006年,美国Cree公司的Wu等人研制的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),4GHz时的输出功率密度达到 41.4W/mm。近十众年来,氮化镓(GaN)的钻研潮席卷了全球的电子工业。氮化镓(GaN)基半导体原料具有禁带宽度大、炎导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质组织等卓异性能,专门适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,是近20余年以来研制微波功率器件最理想的半导体原料。随...

金刚石上GaN电子器件的先驱者Martin Kuball本没打算在他的工作中采用金刚石。将近二十年前加入英国Bristol大学时,他已经花费了数年时间来研究GaN材料,包括SiC上GaN器件,但是与金刚石相关的研究并没有出现在他当时的研究计划中。他说:“雇用我的人那时正在做研究金刚石的相关工作,我说,‘我绝不会去研究金刚石的’,”“但是,现在我却正在做,我想这真是生活的一种讽刺”。现在,他是...

金刚石是迄今为止世界上导热性能最好的物质材料,室温下的导热系数高达2000Wm-1K-1,是碳化硅导热系数的四到五倍。作为衬底材料,金刚石可以以数百纳米的尺寸沉积在GaN信道内,使晶体管设备在工作时能够有效散热。随着金刚石技术的成熟发展,金刚石衬底GaN可以替代常用的行波管和SiC衬底GaN设备,用于军事雷达、电子战系统、蜂巢式基地台、气象卫星和通信卫星等领域。美国国防高级研究计划局(DAR...

在大多数电子系统中,大量的废热通过一系列具有热阻的器件层和接口从热点散发到散热器。大的热阻和由此升高的热点温度会降低器件的工作性能,因此热管理是半导体工业中的一个重要技术挑战。最近关于改善散热的研究主要集中在更换普通衬底(如碳化硅、硅和蓝宝石)和高导热(HTC)材料,以降低整体热阻。高性能热管理的一个关键挑战是实现HTC与电子结附近的低热边界电阻(thermal boundary resis...

自从20年前第一批商用产品问世,GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手,并且,正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时出现,但GaN-on-SiC在技术上已经变得更加成熟。GaN-on-SiC目前主导了RF GaN市场,已渗透到4G LTE无线基础设施市场,预计将部署在5G sub-6Ghz的RRH架构中。不过,...

目前而言最先进的商业卫星以100-200Mbps的速度传输于地球,而对于一些先进的大型单一卫星概念目标为1至4Gbps。这些速率数据很大程度受限于制作信号传输器的射频功率放大器。Akash首次建造了一个小型卫星系统(12U),它将初步实现14Gbps的下行数据速率。接下来的demo数据速率将超过100Gbps,而最终目标定为一个普通的卫星的下行速率达到1Tbps。为达到最终目标,他们将使用金...

未来半导体技术的提升,除了进一步榨取摩尔定律在制造工艺上最后一点“剩余价值”外,寻找硅(Si)以外新一代的半导体材料,也就成了一个重要方向。在这个过程中,氮化镓(GaN)近年来作为一个高频词汇,进入了人们的视野。GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比,其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高,GaN器件可在200℃以上的高温下工作...

新闻中心
>行业动态


产品中心
>金刚石热沉片
>金刚石氮化镓
>氮化铝薄膜
>压电氮化铝薄膜

联系我们
>联系我们


E-mail:sales@csmc. tech Telephone:0086-13859969306
厦门总部:福建省厦门市集美区灌口大道253号
韩国分公司:Changchundoing Shinchon-ro 2nd floor
2108 ho Seodaemoon-gu Seoul, Korea
上海办事处:上海市嘉定区浏翔公路955号小美科技园5号楼407室

点击这里给我发消息