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金刚石氮化镓是什么_介绍_相关报价信息

提到钻石,可以说是家喻户晓,立刻会联想到各种钻戒、钻石项链等珠宝首饰。但说到金刚石,可能有些人就会比较陌生了,想到比较多的可能就是金刚钻了。本文重点讲一讲金刚石。什么是金刚石?学术上来讲,金刚石(diamond)是碳元素的一种固态形式,其中每个碳原子以共价键的形式连接着周围的四个碳原子,构成一个正四面体的结构。听起来很懵?看下图。这样的原子结合方式(晶格)使得碳原子能够以最紧密的方式堆积起来...

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等,因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体材料。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求,是半导体材料领域最有前景的材料。金刚石金刚石是碳结晶为立方晶体结构的一种材料。...

据媒体报道,最新研究结果表明:通过纳米力学新方法,通过超大均匀的弹性应变调控,从根本上改变金刚石的能带结构,为实现下一代金刚石基微电子芯片提供了一种全新的方法,为弹性应变工程及单晶金刚石器件的应用提供基础性和颠覆性解决方案。以硅 (Si)、锗 (Ge)为主的第一代半导体材料使用至今已有 70 余年之久,但硅自身存在物理性质缺陷,导致其在高频功率器件上的应用不佳。之后,人类开始探索以砷化镓 (...

金刚石为人类所发现已有两千多年的历史。一直以来,它的价值主要体现于绚丽夺目、熠熠生辉的色彩和坚硬无比的力学性质。自20世纪五六十年代高压高温和CVD金刚石制备技术相继问世,并在20世纪80年代获得快速发展以来,探索金刚石材料的半导体特性才成为可能。特别是p型金刚石生长技术取得了较大进展,有力地推动了半导体金刚石材料制备技术的进一步发展,并使金刚石成为最有前景的半导体材料之一。作为一种宽禁带半...

随着第三代半导体材料、器件及应用技术不断取得突破,极具竞争力的第三代半导体光电子器件、电力电子器件和射频功率器件产品进入市场,将兴起一场以半导体超越照明技术、宽禁带节能电子技术、宽带移动通信硬件技术、先进雷达技术等为主要内容的半导体科技革命,甚至可能在21世纪上半叶,引发一场新的信息和能源技术革命,从而推动第三代半导体产业爆发式成长。我国目前正处于快速夯实第三代半导体材料科技基础的重要阶段,...

表面粗糙度对器件的影响主要表现在以下几个方面:1、影响耐磨性。表面越粗糙,配合表面间的有效接触面积越小,压强越大,摩擦阻力越大,磨损就越快。2、影响配合的稳定性。对间隙配合来说,表面越粗糙,就越易磨损,使工作过程中间隙逐渐增大;对过盈配合来说,由于装配时将微观凸峰挤平,减小了实际有效过盈,降低了连接强度。3、影响疲劳强度。粗糙零件的表面存在较大的波谷,它们像尖角缺口和裂纹一样,对应力集中很敏...

钻石,也就是金刚石,根据晶体形态可分为单晶体、连生体和聚晶体。其中金刚石单晶由于缺陷少、品质高,在某些应用领域具有不可替代的作用。不过天然的金刚石单晶在自然界中因其漫长的形成过程和相对稀缺性,价格非常昂贵。但随着人工合成方法越来越成熟,人工合成金刚石逐渐出头,凭借其拥有的高强度、高硬度、热膨胀系数小、高导热性、化学稳定性、优越的透光性和电学性质,在世界范围内引起了广泛的研究兴趣。尤其是在半导...

金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料,它是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、氮化镓(GaN)等之后的重要半导体材料之一,可用于重要的半导体器件,其优异的性能可归纳如下:(1)极高的介质击穿特性:击穿电场为107V/cm,是GaAs材料的50倍,GaN材料的2倍,SiC材料的2.5倍。(2)极高的功率容量:金刚石容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上;特别适合制作大功...

金刚石是第三代半导体的重要材料之一。让我们认识一下金刚石。金刚石是碳结晶为立方晶体结构的一种材料。在这种结构中,每个碳原子以“强有力”的刚性化学键与相邻的4个碳原子相连并组成一个四面体。金刚石晶体中,碳原子半径小,因而其单位体积键能很大,使它比其他材料硬度都高,是已知材料中硬度最高(维氏硬度可达10400kg/mm2)。另外,金刚石材料还具有禁带宽度大(5.5eV);热导率高,最高达2200...

热导率是材料的一个重要热学性能参量,是衡量热能在介质中传输难易程度的一个物理量。对于半导体材料而言,其热导率的大小将直接关系到所制作的半导体器件的耐高温性能以及处理功率的能力等。图1.各材料热导率数据对比由于不同的材料具有不同的导热机理,并且还与杂质、缺陷等因素有关,所以不同材料的热导率各不相同。实验表明,金刚石是迄今为止所知的最大热导率的半导体材料。金刚石,是通过晶格振动传热,用声子流表征...

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