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硅基氮化铝是什么_介绍_相关报价信息

氮化铝薄膜通常用于HEMT器件的缓冲层和势垒层,可使器件实现更高的输出功率、截止频率、抗辐射能力以及耐恶劣环境特性,是宽禁带氮化物半导体和微电子领域的前沿技术。2018年,美国桑迪亚实验室报道了高Al组分(85%)AlN / Al 0.85 Ga 0.15 N HEMT,其结构如图1所示,研究人员使用AlN势垒刻蚀去除和再生长工艺形成欧姆接触,2DEG电阻率接近4200 Ω/□,击穿电压高达...

AlN在微波毫米波器件已有广泛应用,如使用AlN缓冲层可使GaN / Si器件的电子迁移率比使用SiC或蓝宝石缓冲层提高1~3倍;AlN成核层是在Si基底上外延生长Ⅲ-N材料的重要步骤;薄AlN势垒层可有效解决GaN器件由于势垒下降所引起的二维电子气(2DEG)密度下降问题;高Al组分Al x Ga 1-x N(x > 0.5) / AlN的击穿电压是GaN的3倍,热导率是蓝宝石的6倍、Ga...

随着未来5G通信系统的更新换代,射频前端器件作为无线通信的核心组件,需求量将不断增长。为了满足5G移动通信高速率、低延迟、高容量的需求,滤波器的中心频率及相对带宽都会相应提高。薄膜体声波谐振器(FBAR)是一种全新的射频滤波器。FBAR器件尺寸远小于传统的基于电磁波的介质滤波器,其工作频率更高,且拥有更好的带外抑制性能和更低的插入损耗。常用的手机射频滤波器主有两类:声表面波(SAW)滤波器和...

氮化铝薄膜是指用气相沉积、液相沉积、表面转化或其它表面技术制备的氮化铝覆盖层。氮化铭(AIN)是AI-N二元系中唯一稳定的相,它具有共价键、六方纤锌矿结构,在常压下不能熔化,而是在2500K分解它的直接能带间隙高达6.2eV,也可以通过掺杂成为宽带隙半导体材料。简介氮化铝薄膜是指用气相沉积、液相沉积、表面转化或其它表面技术制备的氮化铝覆盖层1。特征氮化铭(AIN)是AI-N二元系中唯一稳定的...

据柏林费迪南德-布朗恩高频技术研究所(FBH)消息,德国联邦教育和研究部将在2023年之前出资330万欧元,用于推动由FBH领导并集合了包括弗劳恩霍夫(Fraunhofer)等研究机构和高校在内参与的基于氮化铝薄膜的功率晶体管 联合项目。 早期项目的氮化铝缓冲开关晶体管该项目旨在开发氮化铝ALN作为新的半导体材料,包括对其进行测试和完成系统应用集成等在内的工作。而开展这项研究的初衷则是提升资...

单光子发射器(SPE)是量子信息处理中的组成部分之一。在10 K下氮化铝薄膜中SPE的详细实验光学特性。通过在石墨烯/蓝宝石衬底上进行金属有机化学气相沉积来生长高质量的AlN膜,可以征服大晶格和蓝宝石和AlN之间的热不匹配。AlN中的缺陷,其德比-沃勒因子相对较高,高达〜29%,线性极化SPE接近完美,饱和计数率为1.43×10 6。计数/秒。功率相关的二阶自相关测量用于研究跃迁动力学,这可...

高导热材料显示出在设备中减轻热量和去除热量的前景。然而,缩小这些材料的长度尺度通常会导致热导率显着降低,从而使它们对功能器件的适用性无效。通过稳态热反射测量的 3.05、3.75 和 6 μm 厚的氮化铝薄膜的高面内热导率。在室温下,AlN 薄膜的面内热导率为 ~260 ± 40 W m –1 K –1,迄今为止报告的任何等效厚度薄膜材料的最高值之一。在低温下,AlN 薄膜的面内热导率甚至超...

III族氮化物由于其宽的直接带隙与优异的稳定性,被广泛用于发光二极管(LED)、激光器和大功率/高频电子器件。其中,高品质氮化铝(AlN)薄膜的生长与深紫外LED的构筑是目前氮化物领域研究的重点与热点。目前,AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法异质外延生长在c-蓝宝石、6H-SiC和Si(111)衬底上。然而,AlN与衬底之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延层中存...

超宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有超高击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率、高表面声速、高非线性光学系数等优点,可用于制备大功率电子器件、表面声波滤波器、激光器、紫外探测器、紫外发光器件,在航天航空、军用抗电子干扰、大功率雷达和导弹预警等方面具有重要战略价值,同时在5G通讯、功率开关、杀菌消毒、新能源等国民经济领域发挥重要作用。现阶段,在大尺寸、低成本、工艺成熟的蓝宝石衬底上利用MOC...

目前常见制备氮化铝薄膜的衬底有蓝宝石和SiC,但蓝宝石衬底导电导热性能差,SiC衬底价格昂贵,因此限制其商业化发展。Si衬底因价格低廉、工业化成熟以及大尺寸易制备等优势广受关注。然而由于Si衬底与AlN间较大的晶格失配和热失配,Al吸附原子在生长面上迁移率低以及金属有机化合物气相沉积技术(MOCVD)生长AlN时寄生预反应严重,采用MOCVD技术在Si衬底上外延生长高质量AlN薄膜仍面临严峻...

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