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硅基氮化铝是什么_介绍_相关报价信息

氮化铝AIN的制备工艺主要有直接氮化法和碳热还原法,此外还有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反应合成法、等离子化学合成法及化学气相沉淀法等。1、直接氮化法直接氮化法就是在高温的氮气气氛中,铝粉直接与氮气化合生成氮化铝粉体,其化学反应式为2Al(s)+N2(g)→2AlN(s),反应温度在800℃-1200℃。其优点是工艺简单,成本较低,适合工业大规模生产。其缺点是铝粉表面有氮化物产生,导致氮...

AlN单晶薄膜是重要的第三代半导体材料,具有宽带隙、高导热率、高击穿场强、耐辐射、耐高温等特点,广泛用于制备半导体发光器件和功率器件。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是AlN薄膜生长的关键技术。在AlN的MOCVD生长中,含Al前体如Al(CH3)3(简写为TMAl)与含N前体NH3很容易发生气相预反应,形成纳米粒子[3-4]。导致生长速率低、薄膜质量差以及反应前体的浪费。垂直喷淋式(CC...

氮化铝具备高电阻率,高热导率(为Al2O3的8-10倍),与硅相近的低膨胀系数,是高温和高功率的电子器件的理想材料。常用的陶瓷基片材料有氧化铍、氧化铝、氮化铝等,其中氧化铝陶瓷基板的热导率低,热膨胀系数和硅不太匹配;氧化铍虽然有优良的性能,但其粉末有剧毒。在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中,氮化硅陶瓷抗弯强度最高,耐磨性好,是综合机械性能最好的陶瓷材料,同时其热膨胀系数最小。而氮化铝陶瓷具...

当前在GaN外延片方面,主要有两种衬底技术,分别是GaN-on-Si(硅基氮化镓)和GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓),其中GaN-on-SiC则结合了SiC优异的导热性和GaN的高功率密度和低损耗的能力,射频性能更好。前不久,日本某知名企业宣布,成功地实现了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)在X波段的高功率射频(RF)操作,该成果发表在“AppliedPhysics E...

氮化铝是一种综合性能优良的新型陶瓷材料,具有优良的导热性(为氧化铝陶瓷的5-10倍)、较低的介电常数和介质损耗、可靠的绝缘性能、优良的力学性能、无毒、耐高温、耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,被广泛应用于通讯器件、高亮度LED、电力电子器件等行业。氮化铝是国家鼓励支持的新材料产品,近年来发展较为迅速。现阶段,中国氮化铝企业在氮化铝生产线建设和生产工艺改进方面取得了长足的进展,氮化铝产能不断...

氮化铝(AlN)是III族氮化物(AlN、GaN、lnN)半导体材料的典型代表之一,具有宽带隙(6.2eV)、高激子结合能(80meV)、高熔点(3800K)、高临界击穿场强(1.2-1.4mV cm-1)、高硬度(维氏硬度1200kg/cm-2)、高热导率(3.4W cm-1 K-1)、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异特性。氮化铝(AlN)耐高温性能最高可稳定到2200℃,室温强度高,且强度...

      氮化铝(AlN)是一种无机物,所以是无机非金属材料。  化铝是共价键化合物,属于六方晶系,铅锌矿型的晶体结构,呈白色或灰白色。AlN是原子晶体,属类金刚石氮化物,最高可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。由于氮化铝压电效应的特性,氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。而探测器则会放置於矽晶圆上。只有非...

      AlN是原子晶体,属类金刚石氮化物,最高可稳定到2200℃。室温强度高,且强度随温度的升高下降较慢。导热性好,热膨胀系数小,是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强,是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层,能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水...

图1第一代Si半导体材料和第三代半导体材料物性图其中,氮化铝基板(AlN)是极具应用潜力和市场前景的超宽禁带半导体材料,因其具有很多优良的性质,如其禁带宽度高达62eV(直接带隙)、高热导率(320W/m)、高硬度(1200kg/cm2)、高化学稳定性和热稳定性、高击穿电场(12-14mV/cm)、介电系数小,与GaN晶格失配度小等,使得氮化铝基板成为紫外和深紫外LED及激光等电子器件最为优...

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