随着无线通信和雷达等系统的工作频率向毫米波频段扩展,传统半导体材料无法满足毫米波新兴系统对功率放大器件在输出功率、效率、工作带宽和热稳定性等方面的要求。而GaN 材料在工艺成熟度和制备成本上有更大的优势,GaN 功率器件和射频器件成为了雷达、电子战和第五代移动通信(5G)等系统在毫米波频段重要的功率放大器件。理论上,GaN 功率器件的输出功率密度可达40 W / mm 以上,但是由于现阶段因...
金刚石是绝缘体,自由运动的电子数很少,对导热的贡献主要是来自原子振动(晶格振动)。固体物理中用格波来描述晶格振动,最小能量单元的格波成为声子。在室温下,金刚石中碳原子半径小,结合力强,声子流传输容易;且金刚石弹性模量大,密度小,其德拜温度在2220K左右,高的德拜温度也决定着金刚石具有较高声子平均速度(1.82x10‘ m / s ),因此有极高的热导率。在室温下天然的金刚石热导率为2200...
自支撑AlN 衬底有可能生产破纪录的 X 波段 HEMTs 上图显示了在AlN衬底上制作的HEMT的X波段输出功率随工作电压的增加而增加。引入场板应该能够增加电压和输出功率。富士通的工程师声称,他们已经为 X 波段运行的基于 RF GaN 的 HEMTs的性能开辟了新天地。他们的器件在 AlN 衬底上制造,可提供超过 15 W mm-1 的功率密度,随着场板的引入和器件尺寸的优化,更高的值可...
化合积电自主研发生产的金刚石基氮化铝(AIN on Diamond),作为金刚石与氮化镓的缓冲层,具有均匀性好,可简化外延生长步骤,降低成本,减小异质衬底与外延层的晶格失配性等独特显著优势,为实现高质量GaN/AlGaN材料的外延制备提供保障。AIN on Diamond 生长工艺流程图产品参数说明:上述参数值随实际使用的检测设备或软件不同会略有差别表征结果(200nm为例)1.氮化铝薄膜S...
功率半导体是电子装臵电能转换与电路控制的核心,本质上,是通过利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能。无论是水电、核电、火电还是风电,甚至各种电池提供的化学电能,大部分均无法直接使用,75%以上的电能应用需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。模拟 IC 中的电源管理 IC 与分立器件中的功率器件功能相似,二者经常集成在一颗芯片中,因此功率半导体包括功率 IC 和功率器件...