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CVD金刚石热沉片是什么_介绍_相关报价信息

半导体是电子产品的核心,亦被称为现代工业的“粮食”:一代技术依赖于一代工艺,一代工艺依赖一代材料和设备来实现。半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节,直接影响下游产业的质量和竞争力。金刚石被称为“终极半导体”,具有禁带宽度大(5.5eV);热导率高,最高达120W/cm·K(-190℃),一般可达20W/cm.K(20℃);传声速度最高,介电常数小,介电强度高等特点。金刚石集力学、电学、热...

以前的金属(铝、铜)散热件由于存在密度大、热膨胀系数较高、材料不纯等问题,很难满足散热的需要。随着科学技术的快速发展,航空航天、卫星通讯、高功率激光器等领域对于散热问题越来越重视,对热管理材料提出了更高的要求。金刚石材料因具有低密度、高强度、高导热系数、耐化学腐蚀等特点,有望取代以前的金属材料成为新一代的高导热材料。金刚石是散热材料的一员大将,因为所有的价电子均被限制在共价键区域,没有自由电...

较高复杂性和功率密度更大的现代微型电子设备日益受到热管理技术的瓶颈制约。例如氮化镓(GaN)可以显著提高射频(RF)晶体管的整体性能,使其上升到一个全新的技术基准;但在临近最大输出功率处,RF晶片工作运行时的信道加热却大大缩短了设备寿命。因此,氮化镓设备的潜能有待于进一步挖掘提高。为了解决这个问题,化合积电研发了导热性更高的衬底以帮助晶体管设备散热:化学气相沉积(CVD)金刚石。金刚石是迄今...

在极端环境中使用的芯片材料的研究数量正在增加,比如登陆金星。在金星上,表面温度在500°C左右,压力相当于地球海洋深度约900米。二氧化碳大气层中渗着硫酸云。虽然GaN在电源转换电路方面吸引了很多关注,但这只是半导体在极端环境中的几种应用之一。在许多工业和航空航天环境中发现的高电压、高温和腐蚀性气氛,会使设备受到远远超出硅的工作范围的条件影响。而金刚石具有带隙宽、热导率高、击穿场强高、载流子...

CVD金刚石热沉片是聚晶纯金刚石材料,不含任何结合剂和添加剂,宏观各向同性,具有优异的耐磨性、耐温性和导热性,锋利耐用,强度高,不易破碎,加工工件表面光洁度高。CVD金刚石具有天然钻石的一切优异的物理化学性能,使得在精密切削刀具、耐磨器件、半导体及电子器件、低磁探测、光学窗口、声学应用、生物医学、珠宝首饰等方面得到广泛应用。金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料:•极高的热传导:热导率220...

在电力电子行业,硅MOSFET的性能已经达到了理论极限,现在急需新的技术。GaN是一种具有宽带隙及高电子迁移率的半导体,已被证明能够满足新应用。基于GaN的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有出色的电气特性,是替代高压和高开关频率电机控制应用中MOSFET和IGBT的理想器件。而GaN的性能和可靠性与沟道温度和焦耳热效应有关,研究表明,金刚石可显著改善GaN基功率器件中存在的热效应问题。几...

微机电系统、深空、深海探测任务等对于长效、便携电源提出了更高的要求。同位素电池由于其能量密度高、功率输出稳定,可以在高低温、无太阳光照等极端环境下持续不断地为月球车,海底探测器等提供能量。作为同位素电池中的主要类型,辐射伏特效应同位素电池由于其理论能量转换效率高,易于微型化被广泛研究,并已经成功应用于心脏起搏器。宽禁带的半导体换能结器件制作的同位素电池能够获得更高的能量转换效率。宽禁带半导体...

随着电子技术快速发展,半导体材料不断更新换代的同时,集成电路也向着大规模、高集成、大功率方向不断深入。据统计,有超过55%的电子设备失效形式都是温度过高引起的。如果不能及时将热量疏导出去,就会导致元器件因局部温度过高(即通常所说的热点),而性能降低甚至被烧坏。因此,为保证电子设备工作的可靠性和稳定性,发展新型高效的散热技术成为迫切需求。目前用到最多硅晶圆热导率只有150W/mk,在高性能的面...

碳达峰、碳中和升级为国家战略,和每个领域息息相关。作为现代科技的底层基础与核心,原材料、芯片和器件等是第三代宽禁带功率半导体产业健康发展的基石,也是全产业链落实双碳战略目标的保障。金刚石是宽禁带半导体重要材料之一,在双碳政策下又有怎样的机遇和挑战呢?金刚石具有带隙宽、热导率高、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温等优异性能,将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本。...

垂直腔面发射半导体激光器(Vertical-Cavity Surface-EmittingLaser,VCSEL)是垂直于衬底面出光的一种半导体激光器,它具有光束质量好、光纤耦合效率高、光电集成性好、容易实现二维阵列以及工作时不易形成光学灾变等优点。但由于高功率垂直腔面发射半导体激光器内部自生热效应严重,影响半导体激光器的性能。热量排不出去会使得整个激光器温度升高,影响激光器的性能,比如说阈...

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