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金刚石基氮化铝是什么_介绍_相关报价信息

凭借高功率、高频工作环境下的优良性能,氮化镓(GaN)正在快速崛起,无论是在功率,还是射频应用领域。由于大尺寸硅(Si)基板具备低成本优势,且对现有CMOS工艺兼容,使得硅基氮化镓(GaN-on-Si)成为市场主流。 对于硅基氮化镓的外延来说,假如直接在硅片的表面进行氮化镓的外延,硅(Si)会和镓(Ga)发生反应,形成回熔(melt-back)效应,因而往往会在生长氮化镓之前,先在硅衬底上生...

氮化镓(GaN)和金刚石的直接集成在大功率器件中具有广阔的应用前景。然而,由于GaN和金刚石之间存在较大的晶格和热膨胀系数失配,在金刚石上生长GaN一直是一个巨大的挑战。近日,日本大阪市立大学Jianbo Liang报道了采用表面活化键合(SAB)方法在室温下成功地制备了GaN/金刚石异质界面。采用透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱(EDS)系统地研究了异质界面的纳米结构和原子行为...

自支撑AlN 衬底有可能生产破纪录的 X 波段 HEMTs 上图显示了在AlN衬底上制作的HEMT的X波段输出功率随工作电压的增加而增加。引入场板应该能够增加电压和输出功率。富士通的工程师声称,他们已经为 X 波段运行的基于 RF GaN 的 HEMTs的性能开辟了新天地。他们的器件在 AlN 衬底上制造,可提供超过 15 W mm-1 的功率密度,随着场板的引入和器件尺寸的优化,更高的值可...

氮化铝(AlN)具有高强度、高体积电阻率、高绝缘耐压、热膨胀系数、与硅匹配好等特性,不但用作结构陶瓷的烧结助剂或增强相,尤其是在近年来大火的陶瓷电子基板和封装材料领域,其性能远超氧化铝。氮化铝的应用1、压电装置应用氮化铝具备高电阻率,高热导率(为Al2O3的8-10倍),与硅相近的低膨胀系数,是高温和高功率的电子器件的理想材料。

化合积电自主研发生产的金刚石基氮化铝(AIN on Diamond),作为金刚石与氮化镓的缓冲层,具有均匀性好,可简化外延生长步骤,降低成本,减小异质衬底与外延层的晶格失配性等独特显著优势,为实现高质量GaN/AlGaN材料的外延制备提供保障。AIN on Diamond 生长工艺流程图产品参数说明:上述参数值随实际使用的检测设备或软件不同会略有差别表征结果(200nm为例)1.氮化铝薄膜S...

AlN是第三代/第四代半导体材料的一种,其薄膜具有高电阻率、高热导率、高稳定性及高声波传输速率等优异的物理性能,在高温、高压、高频等条件下性能尤为显著,是当今最受关注的新型半导体材料之一。AlN晶圆是高功率、高频电子器件及紫外探测器、紫外激光和深紫外LED等光电子器件最优秀的衬底材料,在国防、航空航天、保密通信/无线通信、芯片制造、环保、生物医疗等尖端科技领域具有广泛的应用前景,也是我国正在...

功率半导体是电子装臵电能转换与电路控制的核心,本质上,是通过利用半导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能。无论是水电、核电、火电还是风电,甚至各种电池提供的化学电能,大部分均无法直接使用,75%以上的电能应用需由功率半导体器件进行功率变换以后才能供设备使用。模拟 IC 中的电源管理 IC 与分立器件中的功率器件功能相似,二者经常集成在一颗芯片中,因此功率半导体包括功率 IC 和功率器件...

当前,第五代移动通信技术(5G)正在阔步前行,人类将开启万物广泛互联、人机深度交互的新时代。2020年3月,工信部发布的《工业和信息化部关于推动5G加快发展的通知》中强调,要“加快5G网络建设部署、加大基站站址资源支持、加强电力和频率保障”。5G时代,智能终端需要接收(5G/4G/3G/2G)多个频段,同时还要对WIFI/GPS等信号进行处理,需要在收发链路中使用多个滤波器避免信号互相干扰。...

GaN on Diamond​优势在于制造高功率输出密度且小面积的产品,用于高功率 BTS、军事和卫星通信领域。

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