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CVD金刚石热沉片(Dia-Ra 30)

产品名称: CVD金刚石热沉片(Dia-Ra 30)
生长方式: MPCVD
产品厚度: 金刚石(diamond)0~500um
厚度公差: +/- 20um
产品尺寸: 1cm*1cm;2英寸 ; 可定制
表面粗糙度: 1-30 nm Ra
FWHM: 0.354
热膨胀系数: 1.3 (10-6K-1)
热导率: 1000-2000W/m.K
产品介绍

金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料,优势诸多:

1.极高的热传导:热导率2200W/m.K ,室温下金刚石具有最高的热导率

2.极高的介质击穿特性:击穿电场为107V/cm,是GaAs的50倍,GaN的2倍,SiC的2.5倍

3.极高的功率容量:容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上;特别适合制作大功率电子器件

4.低的介电常数:介电常数为5.7,约为GaAs的1/2,比InP的一半还小

5.高饱和载流子速度:饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍,在电场强度增加时也维持高速率

6.高载流子迁移率:电子迁移率为4500c㎡/(V·s),高于绝大多数材料,适合制作高频电子器件

……

IMG_7556.jpg

金刚石热沉片:

✔热导率高达1000-2000W/m.K

✔晶圆级金刚石热沉片生长面表面粗糙度(Ra)<1nm

高品质且成本可控

可定制化


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