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2022 09-23 GaN 作为第三代半导体材料， 具有更高的自发极化系数及更大的压电系数， 能承受更高的功率密度，适用于高频、 高温大功率电子器件。但随着功率器件向小型化和大功率发展，芯片有源区的热积累效应使 GaN 器件的大功率性能优势远未得到充分发挥。当器件温度上升时， 器件特性如漏源电流、增益、输出功率和寿命等会出现退化， 甚至失效。研究表明，结温每升高1０ ～ 1２ ℃ ，器件的寿命及可靠性会降低5...
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2022 09-22 随着GaN(氮化镓）在高功率和高频率领域广泛应用，氮化镓功率密度已接近极限值，要提升芯片功率，兼顾降低热阻，必须要有全新的散热方案，金刚石和氮化镓结合因此备受关注。当前金刚石和氮化镓有三种主流方式：将金刚石键合到 GaN 晶片或直接键合到 HEMT 器件；在单晶或多晶金刚石衬底上生长 GaN 外延；在 GaN 的正面或背面上生长纳米晶或多晶金刚石。化合积电一直潜心攻关金刚石和氮化镓结合的核心...
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2022 09-21 应用环境实际要求显示器需以较高的显示亮度在高温环境下保持正常工作。在工作过程中，显示器产生的高热量加剧了其内部温升。高温会导致显示器组成材料的物理性能或尺寸发生改变，也会给温度敏感元器件带来失效的风险。同时，超高亮度显示器主要通过提高LED 光源能量的方式来实现，而 LED 光源能量的提升会导致显示器内部的热能急剧增大。热量的快速积聚不仅会导致 LED 光源输出光强度减弱，甚至会引起 LED...
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2022 09-19 高频电子设备的急剧小型化导致单个组件的局部工作温度急剧升高。金刚石具有宽带隙、高热导率、高载流子迁移率、高击穿场、高载流子饱和速度和高位移能。这些特性使金刚石成为在高温、高压、高频和高辐射等极端环境中具有巨大应用价值的优秀候选材料。金刚石的各种电子器件已经广泛开展研究，包括MOSFET、散热器、探测器、核电池和电化学应用等。目前已经开发了几种高温金刚石器件，包括场效应晶体管（FET）和肖特基... |
