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2022 05-18 发光二极管（LED）与传统的白炽灯相比具有驱动电压低、节能、高稳定度、响应时间短、不含有害的金属汞等优点。美国等国家对LED照明效益进行了预测,美国55％白炽灯及55％的日光灯将被LED取代‚每年可节省350亿美元电费,减少7.55亿吨二氧化碳排放量。然而LED的的发光功率较低，通常每组信号灯需由300～500只二极管构成，如果能低成本制备出高功率的LED将更有利于LED 的广泛使用。据称高... 2022 05-17 GaN 功率器件的理论输出功率密度可达40 W/mm 以上，但是由于现阶段因其自身热效应问题导致 GaN HEMT 器件功率密度仅为 3~5 W/mm，由此可见其自身优势远远未发挥。主要原因是在高偏置电压工作状态下，过大的功率耗散导致器件升温，而传统的低热导率衬底和散热途径的散热能力有限，阻碍热量向周围环境扩散，进而加强声子散射，引起势阱中载流子迁移率下降，使器件的静态 I-V 特性衰减，这... 2022 05-16 用于热沉领域的金刚石薄膜的必须具有高热导率，这就要求制备的金刚石薄膜纯净，缺陷少，面积大，同时还要求有较高的生长速率以降低生产成本。采用具有等离子体密度高、无放电电极污染、控制性好等优点的微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法，是工业上制备热沉金刚石的理想方法。MPCVD沉积装置不仅能沉积高纯度的金刚石膜，沉积速率也可以通过增大微波功率来提高。用5KW 微波功率的MPCVD，可以以10μm... 2022 05-15 随着半导体器件功率密度的不断攀升，对热管理材料热导率提出了更高要求，具有超高热导率的第四代封装材料金属/金刚石开始进入了人们的视野，产业化趋势明朗。近年来，以金刚石为代表的高性能热沉衬底材料，正朝着高散热性能、低热膨胀、高强韧、超薄等方向快速发展，有望突破国家重大战略需求如航天、电子通讯及器件等领域的技术发展中面临的高功率电子器件散热瓶颈问题。电子封装产业链结构尤其是宽禁带半导体器件、高功率... |
